電力電子半導體之功率器件MOSFET晶圓封裝知識簡介

2021-08-03T07:36:42.006525+00:00

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電力電子半導體之功率器件MOSFET晶圓封裝知識簡介

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晶圓(Wafer)是指矽(Si)半導體功率器件製作所用的矽晶片,由於其形狀為圓形,故稱為晶圓;在矽晶片上可加工製作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能的功率器件產品。



晶圓的原始材料是矽,叫外延片。而地殼表面有用之不竭的二氧化矽。二氧化矽礦石經由電弧爐提煉,鹽酸氯化並經蒸餾後,製成了高純度的多晶矽,其純度高達99.999999999%。小數點後9個9的純度非常之高。多晶矽拉成一個矽柱,類似修高架的圓形水泥柱子,再切割成一片一片。典型的點石成金,石頭提純變黃金。




在功率半導體行業中總會提到6寸、8寸、12寸晶圓。6、8、12指的是晶圓直徑,寸是尺寸單位:inch英寸。6寸 等於150mm,8寸等於 200mm,12寸等於300mm。

功率器件MOSFET晶圓(Wafer)常用規格一片顆粒數:

(1)一般設計VDMOS平面高壓650V 4A 6寸一片2100-3000顆。

(2)一般設計Deep Trench深溝槽工藝或Multi-EPI多層外延工藝Super Junction超結MOS 650V 20A 8寸一片1800-2000顆。

功率器件MOSFET常用封裝實物圖:


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2021-11-16T04:14:28.836420+00:00

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