電力電子半導體之功率器件MOSFET晶圓封裝知識簡介
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晶圓(Wafer)是指矽(Si)半導體功率器件製作所用的矽晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓；在矽晶片上可加工製作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的功率器件產品。
晶圓的原始材料是矽，叫外延片。而地殼表面有用之不竭的二氧化矽。二氧化矽礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化並經蒸餾後，製成了高純度的多晶矽，其純度高達99.999999999%。小數點後9個9的純度非常之高。多晶矽拉成一個矽柱，類似修高架的圓形水泥柱子，再切割成一片一片。典型的點石成金，石頭提純變黃金。
在功率半導體行業中總會提到6寸、8寸、12寸晶圓。6、8、12指的是晶圓直徑，寸是尺寸單位：inch英寸。6寸 等於150mm，8寸等於 200mm，12寸等於300mm。
功率器件MOSFET晶圓（Wafer）常用規格一片顆粒數：
（1）一般設計VDMOS平面高壓650V 4A 6寸一片2100-3000顆。
（2）一般設計Deep Trench深溝槽工藝或Multi-EPI多層外延工藝Super Junction超結MOS 650V 20A 8寸一片1800-2000顆。
功率器件MOSFET常用封裝實物圖：
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