DDR建立內存的初衷是加快內存的傳輸速度，以彌補內存帶寬的不足。關鍵技術是雙數據速率和預存取。在一個時鐘周期中，DDR可以完成SDR只能在兩個周期內完成的任務理論上是同速的DDR內存與SDR性能是內存的兩倍以上，LPDDR擁有比同代DDR這種晶片主要用於移動電子產品等低功耗設備。
那麼LPDDR關鍵信號該如何分析和接線有哪些要求呢？
單端信號要求走50Ω±10%，其中DQ/DM未單端信號，DQS為差分信號，
DQS差分信號：走線寬度及差分線間距又PCB的疊層阻抗所決定
DQ數據線：DQ線寬由PCB層疊阻抗決定，組內行走間距需要2。W原則(兩條線路中心點之間的距離是線路寬度的兩倍)
DQS和DQ走線間距以及不同數據組之間的間距：走線需要大於2W
DQS差異之間的最大延遲：1PS（1ps的延遲在PCB上大概對應6mil，因此，差異之間的等長控制要求為5mil不會出錯)
DQS和DQ的最大延遲：5PS（1ps的延遲在PCB上大概對應6mil，要求差分對之間的等長控制在30Mil以內）
因為CLK與DQS最大延遲可以接受為150ps，也就是說，每個數據組只需要7500mil內等長，但一般控制在120mil以內
數據信號組為8位為一個字節即為一組，但還需要包括DQS和DQM（DQ0-7，DQM，DQS）
第二組信號為DQ8-DQ15，DQM，DQS
時鐘走線
差分阻抗為100Ω±10%，線寬與差分線之間的距離由PCB由疊層決定
由於時鐘信號線不高頻，上升邊緣很陡，很容易干擾他人，所以我們需要做3W原則是與其他信號接線的淨寬至少為3倍
差分對最大的延遲為：1PS即6mil，通常按5mil等長設計
時鐘CLK與DQS之間允許的最大延遲為：150PS
控制組
CSN：片選信號，當CS#為高時，所有信號無效，為輸入信號，CS的參考電壓為VREFFCA
CKE：時鐘使能，高使能，低禁止，為輸入信號，CKE的參考電壓為VREFFCA
控組信號走線阻抗控制為50Ω±10%，走線的寬度由PCB的疊層決定，控制信號需要控制3W原則
控制信號與時鐘之間的最大延遲為：5PS即30MIL
地址組
地址信號我們需要控制阻抗：50Ω±10%，線路寬度PCB疊層是由阻抗需求決定的，需要控制線之間的寬度3W原則
與SLK最大的延遲為：5ps，即30MIl
在反射率測試系統中，雷射粒度計的遮光比不應過大（超過50）或過小（低於）。當遮光比過大時，顆粒濃度過高，容易發生二次散射，測量結果誤差增加。遮光比過低，樣品中顆粒濃度過低，顆粒數量過少，試驗結果的代表性很差，可能導致試驗結果無效。因此，在測試過程中，應通過重複實驗選擇遮光比，以獲得正確的測量結果。
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關於DDR測試，在谷易電子DDR測試夾具行業應用中，整理幾款對應的測試設備（僅供參考）
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