中國內存最強突圍者,是如何跳出美韓專利陷阱,突破技術壟斷的?

新一來了talk 發佈 2022-09-29T02:06:55.208363+00:00

先簡單區分一下,NAND快閃記憶體是電腦的固態硬碟,DRAM就是內存條,計算晶片或者處理器咱們落後國外不少,但存儲晶片,中國內地有兩架企業做的不錯,也是將來率先突破封鎖的急先鋒,一個就是做快閃記憶體的長江存儲,一個就是中國唯一一家、而且能大規模量產DRAM的長鑫存儲。

半導體存儲晶片領域有兩大行業,快閃記憶體和內存,目前是被美日韓等國外企業牢牢壟斷,三星、海力士、鎂光等頭部巨頭操縱著全球存儲晶片的價格和產量,不斷擠垮競爭對手,隨時漲價來謀取暴利。

但你以為我們會一直被韓國摁在地上打嗎?

先簡單區分一下,NAND快閃記憶體是電腦的固態硬碟,DRAM就是內存條,計算晶片或者處理器咱們落後國外不少,但存儲晶片,中國內地有兩架企業做的不錯,也是將來率先突破封鎖的急先鋒,一個就是做快閃記憶體的長江存儲,一個就是中國唯一一家、而且能大規模量產DRAM的長鑫存儲。

2016年在中國內地誕生了兩家搞內存的企業,一家是福建晉華,一家就是長鑫存儲。但中國搞內存還沒兩年時間,就被國外大廠盯住了,2018年10月,美國一紙管制清單突然將還在襁褓中的晉華扼殺,配合自家企業美光,迫使給晉華技術支持的台灣聯電退出合作,將其工廠中的全部美系設備撤出,自此之後中國內存企業僅剩一顆獨苗——長鑫存儲。

雖然內存咱們還跟韓國差了五年,但要知道中國晶片突圍的第一槍極可能是存儲晶片,我們看一組數據。

2021年中國從國外買了27934億元的晶片,存儲晶片大致有9000億,而在這9000億里,快閃記憶體占了40%,內存占了55%。

是不是看上去很誇張,更誇張的還有巨頭的壟斷,根據最新數據顯示,DRAM內存市場中,韓國三星占了43.9%的份額,海力士分了27.6%,美國美光有22.7%,三家巨頭幾乎瓜分了全球內存市場。

2019年長鑫宣布量產了8GB DDR4內存,兩年過去了長鑫從巨頭嘴邊搶了幾塊肉呢?

根據2021年長鑫的財報和其他博主的推算,2021年整年公司總營收在20到25億元之間,也就是1.5%至2%的市場占有率。

大傢伙兒可能會覺得這點份額也太少了吧,不不不,能在美韓大廠手上虎口奪食,看看晉華的處境就非常不簡單了,更重要的是長鑫不僅能量產,而且最關鍵的是,它有自己的專利和核心技術,你歐美大廠想制裁想封鎖也不行,為什麼長鑫能在巨頭中站的住腳呢?

因為長鑫已經完全消化了從國外買回了成熟技術。

我們先從歐洲最後一個內存廠商奇夢達的破產說起,奇夢達我們可能不熟,但它的母公司英飛凌大家應該都知道,德國西門子以前分出去了一個半導體部門,然後成立了個子公司就是英飛凌。

在10多年前半導體存儲晶片行業有兩大技術之爭,三星、海力士和美光這一大陣營搞的是堆疊式技術,而另一大陣營以奇夢達為代表搞的是溝槽式技術,這兩種技術的區別就在於,前者是在晶片平面上向上堆疊來擴大電容值,以此來增加存儲容量,而後者是向下挖槽,奇夢達也正是憑藉後者躍居成全世界第四大DRAM廠商。

好景不長,2008年來了一場金融海嘯,全球內存市場價格開始破跌,此時三星董事長李健熙幹了一件缺德事兒,他將三星電子整年的利潤全部用於擴能,在全球又掀起價格戰,壓低國際價格搶份額,這一下子搞的奇夢達缺錢又少糧,只好在2009年進行破產清算,但也正是在這個關鍵時刻,沒想到奇夢達在最後彌留之際研發出了Buried wordline技術,能夠在當時達到46nm,這種技術更偏向堆疊式。

技術剛搞出來就破產了,奇夢達為了償還欠款,採用專利償還錢的方式到處還債,搞的全球很多企業都成了奇夢達專利的二道販子,四處轉手,最後來自加拿大的公司Polaris拿到了奇夢達一千多萬份DRAM技術文件和高達2.8TB的數據依據專利許可協議。

2019年12月,長鑫最終將這些寶貝收購下來,2021年4月長鑫又與美國半導體企業Rambus簽訂專利許可協議,獲得了一大批DRAM技術專利許可,這為未來長鑫量產內存晶片並暢通無阻在市場上售賣掃通了障礙,要知道美光這個狐狸正虎視眈眈的盯著呢,一旦發現長鑫所售的產品跟自己的技術有重疊,立馬就會像搞晉華一樣搞長鑫。

可能聽到這不少朋友有疑問了,剛剛不是說長鑫的技術不是自己正規途徑收購來的嗎,美光有什麼資格挖坑?

這個事兒還要從奇夢達破產清算說起,當時有兩家公司爾必達、華亞科也拿到了一部分專利,後來這兩家企業又被美光收購,所以同樣有奇夢達專利的美光早就挖著坑等著長鑫往裡面跳。

上面我提過奇夢達破產之際搞出了46nm的Buried wordline技術,長鑫在買到這個技術後,確實怕美光在專利風險上挖坑,所以為了規避這個坑,長鑫大概燒了25億美元對買來的晶片架構重新進行了設計,而且在實驗室一舉給推進到了10nm,2019年長鑫推出中國第一顆DDR4內存晶片,並且在2021年實現17nm的技術研發。

我們來看看長鑫這個研發進度在全球是什麼水平,三星、海力士、美光一線大廠基本是在2016年進入16至19nm階段,在2018年進入14至16nm階段,在2020年進入12至14nm階段,所以文章最開頭提到中韓內存差距在五年確實是的,但這個差距是可以彌補的,要知道長鑫從剛成立到追上三星2016年的水平,僅僅只用了五年,而這五年的差距並非是一個難題。

在2021年年底長鑫獲得了來自大基金二期、安徽國資和兆易創新等156億元的融資,在產能上布局了三期,整體上估計要砸下去1500億元,如果能全部投產量產,預計在12英寸晶圓上實現每個月36萬片的產能,這個時候市場占有率突破10%應該是沒有問題的,到那個時候長鑫可以妥妥坐上全球第四大DRAM廠商的寶座。

話說回來,我剛提到美光給長鑫預留了一個坑,因為長鑫在DDR4上追上了一線大廠,而且在今年或者明年會推出DDR5、GDDR6等一系列產品,當年美光拿到了一部分奇夢達的專利,是GDDR領域的專利,估計美光就是在等長鑫推出GDDR產品,到時又會搞點小動作,長鑫的內存之路想要安穩的發展,這個坑還是要注意一下的。

寫在最後,中國每年從國外進口的存儲晶片基本是NAND和DRAM兩大類,進口數額高達9000億元,國內長江存儲和長鑫存儲這對雙子星真的是國產存儲未來的希望,像長江存儲基本將自家產品推到了國際先進水平,只要量產NAND晶片不成問題,長鑫離美韓大廠的差距也不算太大,畢竟有了技術基礎,剩下的就是時間問題了。

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我雖然快50了,但想那個不減反增⋯

2021-10-04T06:10:47.785320+00:00

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