本報記者 譚倫 北京報導
當全球晶片界的目光都聚焦於台積電與三星的2納米之爭時，沉寂已久的英特爾以另一種方式宣告歸來。
北京時間2022年9月28日，英特爾在美國加州聖何塞市舉行了第二屆On技術創新峰會。現任掌門人CEO帕特·基辛格在本屆峰會上公布了Intel 18A製程的最新進展——PDK 0.3版本已被早期設計客戶採用，測試晶片正在設計中，將於年底流片。
作為基辛格去年上任後提出的IDM 2.0戰略的一部分，Intel 18A所對應的正是業內主流的1.8納米製程。根據規劃，英特爾原定在2025年量產1.8納米製程，但在今年二季度財報會議上，基辛格透露這一時間被提前到了2024年下半年，同期推出的，還將包括Intel 20A，即2納米製程。
值得注意的是，除1.8納米和2納米外，英特爾宣告發力的幾乎是包括7納米、4納米、3納米在內的全系列前沿製程。截至目前，Intel 7（即7納米製程工藝）已搭載在去年底推出的12代酷睿上，並將沿用至13代酷睿，而2024年，Intel 4（即4納米製程工藝）將會量產，根據官方透露的信息，該系列將首次引入EUV光刻工藝。
雖然流片距離真正的量產還為時尚早，但基辛格帶領下的英特爾發出的信號無疑是明確的——在7納米製程因延期而被遭受到諸多質疑後，這家昔日巨頭正在重新回歸半導體最頂尖領域的競爭行列。
英特爾1.8納米之所以受到如此關注，顯然與目前晶片製造領域的領頭羊台積電的動態緊密關聯。後者在今年6月的行業論壇上宣布，3納米製程將在今年下半年試產，同時將花費1萬億新台幣（折合約 2290億元人民幣）擴大2納米產能布局，並在2024年試產，2025年開始量產。
而2納米正是目前台積電已公布的規劃中最前沿的製程，也是除英特爾外，目前全球半導體產業已知在研的最精尖製程。由於另一巨頭三星也在2021年底官宣了2025年量產2納米製程的計劃，因此，2納米被視為半導體代工界目前最前沿的爭奪領域。
而英特爾1.8納米的橫空出世無疑宣告這一格局將被打破，如果能在2024年順利量產2納米與1.8納米，英特爾將一舉超越台積電與三星，成為目前全球半導體量產製程方面最領先的廠商。
窺探英特爾實現趕超的歸因中，技術路線是被提及最多的因素。公開信息顯示，為了打造新的系列製程，英特爾在2納米上採取了獨特的RibbonFET電晶體架構工藝，而這一架構類似於台積電、三星所採用的納米片電晶體（Gate-All-Around FET，簡稱「GAA」）架構，該架構可以更為精確地減少漏電損耗，降低功耗。
據基辛格在本屆峰會上透露，憑藉RibbonFET電晶體架構、Power VIA電源傳輸系統、High NA EUV光刻及2.5/3D先進封裝等領先技術，英特爾預計在2030年前將一個晶片封裝上的電晶體數量提升到1萬億個。
對於英特爾的崛起，CHIP全球測試中心中國實驗室主任羅國昭向《中國經營報》記者表示，此前製程研發的不利，的確讓英特爾方面有所清醒，技術出身的基辛格上任後，英特爾重新確立了回歸代工的戰略，而這對一家在技術研發方面功力深厚的老牌巨頭而言，似乎是揚長避短的最好方式，目前來看，英特爾也證明了其技術影響力正在回歸。
然而，對於英特爾能夠很快追上台積電、三星的輿論預期，羅國昭則表示了謹慎觀望的觀點。「畢竟量產規劃的時間並不等於實際量產的時間，此前已有很多廠商的延期案例可供證明。」同時他指出，由於具體的測試數據還未出爐，英特爾的1.8納米在性能上能否趕超台積電三星的2納米，也有待觀察，畢竟製程數值的領先並不等於性能的絕對領先。
但毫無疑問，英特爾在高端製程上的入局，意味著台積電、三星兩家獨大的局面有望改變。TrendForce數據顯示，目前台積電的市場份額接近52.9%，而三星以17.3%的份額位居第二，兩家占據了全球近七成的晶片代工份額。
（編輯：張靖超 校對：翟軍）