（報告出品方/分析師：華泰證券 申建國 周敦偉 邊文姣 吳柯良）

一、HJT 結構優異，具備多重優勢

1.1 HJT 鈍化機制優異，理論電池效率高

HJT 太陽電池是一種利用晶體矽基板和非晶矽薄膜製成的混合型太陽電池。

就電池結構而言，HJT 電池以 N 型晶矽作為襯底，經清洗制絨後，在正面依次完成本徵非晶矽薄膜與 P 型非晶矽薄膜的沉積，形成 P-N 結。

而後在矽片的背面依次沉積較薄的本徵非晶矽薄膜和 N 型非晶矽薄膜形成背表面場。為了解決非晶矽導電性較差的問題，需在電池的兩側沉積透明氧化物導電薄膜（TCO）。

最後則需利用絲網印刷等技術完成金屬電極化。

HJT 理論極限效率較高。

據 ISFH 和隆基測算數據，PERC、TOPCon 與 HJT 電池的理論極限轉換效率分別為 24.5%、28.7%和 28.5%。HJT 在極限效率方面大幅領先 PERC，略落後於雙面 TOPCon。但 TOPCon 電池實現雙面多晶矽鈍化的難度較大，尚未有廠商克服這道技術難關，而目前生產的背表面單面鈍化的 TOPCon 電池極限效率僅有 27.1%，低於 HJT。

1.2 除效率高外，HJT 還具備良率高、雙面率高、溫度係數低等多重優勢

相較 PERC 和 TOPCon，HJT 電池具備七大明顯的優勢，使其有望率先從現有的電池片技 術中脫穎而出，成為未來市場的主流。

(1)生產工藝流程短→更高良率和更低人工、運維成本：HJT 的核心工藝流程僅有 4 步，即 清洗制絨、非晶矽薄膜沉積、TCO 膜沉積、金屬電極化，相較 PERC 和 TOPCon 電池大幅簡化。較短的工藝流程有助於提升生產良品率，同時可降低人工、運維等成本。

(2)採用低溫工藝→更小熱損傷：HJT 全程在 200℃以下的環境中製成，對比之下 PERC 擴 磷環節溫度需高於 850℃，TOPCon 擴硼環節溫度則在 1100℃以上。低溫工藝有助於減少 矽片製備過程中的熱損傷並節約燃料。

(3)雙面率高→更高發電量：HJT 電池為雙面對稱結構，電池雙面率最高可達 90%；而 PERC 和 TOPCon 在製備過程中均需要對矽片進行背面拋光，雙面率最高僅可達到 75%和 85%。更高的雙面率可以提升 HJT 背面發電量。

(4)溫度係數低→更高發電量：HJT 的溫度係數為-0.24％/℃，比 PERC( -0.35％/℃)和 (TOPCon -0.30％/℃ )更低，因此，HJT 在高溫環境下的能耗損失更少，發電量更高。

(5)衰減率低→更高發電量：HJT 的首次衰減為 1%、線性衰減為 0.25%，低於 PERC 和 TOPCon，這主要是由於 HJT 無 PID 和 LID 效應，在 25 年的長生命周期內，HJT 發電更高。

(6)更適合鈣鈦礦疊層→提效潛力更大：HJT 電池主要吸收紅外光，而鈣鈦礦電池對短波到 可見光波長的光波利用率較高，兩者疊層完成了吸收光譜的「兼收並蓄」，能夠打開理論轉換效率的天花板。

(7)更易實現薄片化→降本空間更大：HJT 的雙面對稱結構，降低了矽片的機械應力，提高 了製備過程的整片率；低溫工藝亦減少了矽片受熱發生翹曲的可能，更有利於薄片化的進 行。

二、HJT 提效降本路徑明晰，多方合力推進

三大路徑助力降本，提效、薄片化、銀漿成本是重點突破口。

HJT 電池降低成本可分為三大路徑：

1）提升電池效率攤薄成本，主要通過微晶化、使用 UV 轉光膜、銅電鍍實現；

2）減薄矽片厚度，降低矽片成本；

3）降低非矽成本，而根據 CPIA 和 PV-Tech 數據，非矽成本占比較大的是銀漿、靶材和折舊，其中銀漿占比最大。

漿料價格主要依賴國產替代，目前高溫銀漿基本實現國產化，但低溫銀漿仍國產化不足。漿料耗量則為產業內降低銀漿的重要突破口，包括用銅替代銀（銀包銅和電鍍銅）、優化柵線（MBB 和 0BB）、改進印刷（雷射轉印和鋼板印刷）。

靶材降本則主要通過設備+疊層+回收+少銦/無銦化。此外，設備端目前已實現國產化，但單 GW 設備投資額仍達 3.5-4 億元，未來將通過規模效應+零部件國產化進一步降本。

2.1 提效：微晶提升電池效率，轉光膜助力組件發電量提升

#1 微晶：雙面微晶可提升電池效率 0.8pct 上

得益於更好的光學性能和電學性能，微晶化可進一步提升 HJT 效率。

微晶矽是指在非晶矽網格中存在大小 10nm 的晶粒。微晶矽與非晶矽相比具有更好的光電性能，能夠進一步提升電池效率，原因是：

1）光學帶隙寬，微晶矽具有連續可調的光學帶隙，其帶隙變換範圍為 1.12ev-2.4ev。吸收的光譜範圍可擴展到紅外部分；

2）電導率高，因為微晶里有著大量的結晶矽晶粒，能較大提升微晶的電導率。目前單面微晶已經量產，電池效率提升約 0.5-0.6pct，雙面微晶可在單面微晶基礎上再提效 0.3pct，後續隨著工藝優化，預計仍有繼續提效空間。

目前已有邁為、鈞石等設備商交付設備，據下游的愛康、金剛、華晟公告數據，單面微晶平均效率已超 24.7%，較好的可達 25%以上。雙面微晶可進一步提效，電池效率將達 25.5%以上。

#2 轉光膜：提升組件功率 1.5%-2%

此前封裝方案包括高透膜和 UV 截止膜兩類，高透膜組件易衰減，截止膜組件功率低。據 SLAC 和 NREL 團隊研究，與其他類型的電池相比，HJT 電池片的非晶矽/微晶矽層更易受到紫外線輻射破壞而在表面產生缺陷，從而導致組件衰減。

此前封裝方案包括高透膜和 UV 截止膜兩類，但各自均存在一定缺陷：

1）高透膜：不過濾紫外線，組件初始功率較高，但隨著戶外使用時間變長，組件功率會快速衰減；

2）UV 截止膜：當前主流封裝方案，過濾全部的紫外線，雖然能夠顯著降低衰減速度，但 HJT 電池片本身能夠響應一定程度的紫外線，將紫外線過濾後也相應地降低了 HJT 組件的初始功率。

UV 轉光膠膜助力 HJT 破除困局，組件端功率可提升 1.5%以上。

賽伍技術推出新型 UV 轉光膜可將高頻的紫外線轉換成藍光，從而兼具低衰減和高初始功率的特性。

據賽伍測試，轉光膜的理論轉換效率可達 95%，使得組件端的功率增益達到 1.5%-2%，在陽光直接暴曬的情況下，UV 轉光膜仍可實現 90%的轉換效率，3000 小時後的效率衰減僅為 0.04%，折算到 50 年衰減率僅為 2%。UV 轉光膜有望助力 HJT 降本增效步伐加速。

2.2 降本之矽成本：薄片化持續推進，HJT 具備更大減薄空間

HJT 結構更適於薄片化。相較 PERC 和 TOPCon，HJT 減薄空間更大：

1）良好的雙面對 稱結構能更好適應機械應力，降低矽片碎片率；

2）低溫工藝也避免了高溫工藝中曲翹、碎片等問題；

3）HJT 鈍化效果更好，薄片後開路電壓提升彌補短路電流下降，整體效率不受明顯影響。

據華晟的薄片測試數據，矽片厚度從 140μm 減至 100μm 的過程中，電池效率維持穩定，基本保持在 25.2%左右。

根據 CPIA，2021 年 HJT 主流矽片厚度約 150μm，厚度下降空間廣闊，矽片廠商也紛紛加快薄片化進程，當前龍頭玩家 HJT 厚度已達 130um，較 PERC 和 TOPCon 厚度均領先，據我們測算，矽片厚度每下降 10um，單瓦矽耗降低約 0.1g/w，以矽料價格不含稅 100 元/kg 測算，矽片厚度每下降 10um 矽成本降低 0.01 元/w。

2.3 降本之非矽成本#1：0BB、電鍍銅、銀包銅齊頭並進助力少銀化

2.3.1 銀漿在非矽成本中占比高，銀耗銀價均有大幅下降空間

非矽成本中銀漿占比 50%。HJT 非晶矽只能在小於 200°C 的低溫環境製備，故傳統晶矽電池的高溫銀漿不適合 HJT 電池。目前 HJT 行業均採用樹脂固化的低溫銀漿製作電池電極。 銀漿成本高主要由兩大原因導致。

1）低溫銀漿不經過高溫燒結，低溫工藝下電極殘留的其他成分導致電阻率偏高、導電性能偏差，故須增大銀漿用量進而降低電阻；同時，HJT 為雙面結構且雙面都需要用純銀，不像 PERC 電池背面可用銀鋁漿，所以 HJT 電池銀耗量較高。

據 PV-Tech 數據，2022 年 HJT 電池銀耗量為在 18-20mg/W 左右，大幅高於 PERC 電池銀耗量 10mg/W 和 TOPCon 電池銀耗量 13mg/W；

2）低溫銀漿技術目前為日本供應商壟斷，未能實現全面全國化，較高溫銀漿存在溢價。

未來銀漿價格和耗量均有較大下行空間：

1）價格方面，低溫銀漿國產化有望快速降低銀漿價格。

帝科股份、蘇州固鎝、常州聚和等傳統高溫銀漿廠商積極布局低溫銀漿，目前已初見成效，據公司公告，蘇州固鎝、帝科股份均已實現 HJT 低溫銀漿批量出貨。

據邁為股份統計數據，2021 年進口漿料價格為 8000 元/kg 以上，目前國產低溫漿料價格可 低至 6000 元/kg，隨著國產化進程加快，銀漿價格有望進一步降低。

2）耗量方面， 0BB、銀包銅、電鍍銅、鋼板印刷、雷射轉印等金屬化工藝革新進步是降低銀耗的關鍵驅動力，其中銀包銅和 0BB 推進較快，根據中科院電工所數據，0BB 技術應用後銀漿耗量有望下降至 12mg/W，電鍍銅則為顛覆性技術，可以實現完全無銀化，目前尚以小批量產能為主，根據海源復材公告，規模化產能或將於 24 年形成。

2.3.2 銀包銅：用銅部分替代銀，降銀效果明顯

銀包銅技術符合降本增效趨勢。銀包銅工藝是通過將銀覆蓋在銅粉表面來減少銀的用量，若銀、銅的比例控制得當，可在降低銀漿成本的同時取得良好的轉換效率。

目前銀包銅主要應用於背面副柵。根據華晟預測，隨著 23 年銀包銅全面導入後，單瓦銀耗可降至 10mg/w，降本空間可期。

2.3.3 電鍍銅：完全去銀的突破性技術

電鍍銅為完全去銀突破性技術。電鍍銅是一種非接觸式的電極金屬化技術，在基體金屬表面通過電解方法沉積金屬銅製作銅柵線，收集光伏效應產生的載流子。跟傳統技術相比，主要差異在於銅電鍍技術使用銅做電極而不是銀。

銅電鍍與傳統絲網印刷的差異主要在 TCO 膜製備工序之後，傳統異質結產線在 TCO 膜制 備之後通過絲網印刷製備電極，而銅電鍍則在 TCO 鍍膜後主要經過圖形化和金屬化兩道工 序製備銅柵線。

電鍍銅工藝核心為圖形化與金屬化，各工序都存在較多方案：

#1 圖形化：包括鍍種子層、製備感光膠層、曝光顯影三步

1） 鍍種子層。若直接在 TCO 膜層上電鍍銅，銅柵線與 TCO 膜層之間附著力差且存在脫柵問題，故需要先使用 PVD 設備在矽片 TCO 表面濺射一層 100nm 的銅種子層來提升附著性能。同時，亦有廠商使用無種子層方案，例如邁為股份與 Sun Drive 自 2021 年起合作研發的 HJT 電池均在無種子層電鍍設備上完成。

2）製備感光膠層。

感光膠又可分為干膜和濕膜兩大類：

1）干膜是一種負性低成本光刻膠，通過紫外線照射能產生聚合反應（由單體合成聚合物的反應過程），形成一種穩定的物質附著於板面，從而達到阻擋電鍍和蝕刻的功能。通過貼膜機，干膜可以通過卷對卷熱壓，一次在電池雙面覆蓋，工藝簡單，但成本相對較高；

2）濕膜一般為感光油墨，可對紫外感應並固化，主要使用油墨印刷機處理。印刷的過程直接形成柵線圖案，印刷後只需要用紫外或熱烘烤固化完成即可進行電鍍，精細度較干膜稍差，但成本更低，適合於大規模自動化生產。

3）曝光顯影。

主要為光刻技術，經過處理、曝光、顯影后將感光膠上圖形顯現出來。根據是否使用掩膜版，光刻技術主要分為掩膜光刻與直寫光刻：

1）掩膜光刻由光源發出的光束，經掩膜版在感光材料上成像，光刻圖形化線路精準度高，但由於使用材料包含光阻干膜、光罩及顯影劑等昂貴材料，不利於量產及降低生產成本；

2）直寫光刻也稱無掩膜光刻，是指計算機控制的高精度光束聚焦投影至塗覆有感光材料的基材表面上，無需掩膜直接進行掃描曝光。

直寫光刻在光刻精度、對位精度、良品率、環保性、生產周期、生產成本、柔性化生產、自動化水平等方面均具有優勢，但其雷射頭價格較高。

4）雷射開槽。

除光刻路線外，圖形化還可使用雷射開槽工藝，採用雷射去除位於導電金屬層待電鍍區域上的絕緣掩膜層，以露出導電金屬層的待電鍍區域，直接形成圖形化掩膜，以此便於後續對導電金屬層的待電鍍區域進行電鍍工藝的施工。

雷射開槽工藝流程簡單，省去了曝光顯影等步驟，但由於雷射能量不易控制，若開槽雷射能量不足會導致無法形成良好的開槽形貌，若雷射功率過大則會損傷 TCO 膜層，且雷射的高溫可能會損傷 HJT 的非晶矽層，故當前雷射開槽工藝尚不適合 HJT 電池電鍍應用。

#2 金屬化：包括電鍍銅和後處理兩步，電鍍可分為水平鍍和掛鍍

1）電鍍銅。

在矽片正、背面的柵線圖案上電鍍銅，形成銅柵線電極，根據電池片的放置及傳送方式分為水平和垂直電鍍。

1）水平電鍍：電池片在電鍍槽中為水平的鏈式傳輸，其中滾輪旋轉帶動電池片移動，其中一側滾輪為導電材料形成電鍍系統的陰電極。電池在水平傳輸過程中與陰電極滾輪保持連續的或幾乎連續的接觸，實現電鍍；

2）垂直電鍍：電鍍槽具有用於待鍍產品通過的電鍍通道，電鍍通道內適於容納電鍍液，所述電鍍通道的一端為電鍍進口，所述電鍍通道的另一端為電鍍出口，電鍍通道的上方具有用於鋼帶通過的輸送空間。

鋼帶用於垂直懸吊待鍍產品，通過鋼帶的驅動以使待鍍產品依次穿過電鍍槽的電鍍進口和電鍍出口，實現電鍍。

水平電鍍性能更優，但仍有較多問題需要解決。相較垂直電鍍，儘管水平鍍膜尚存在工藝設計難度高等問題，但優勢已較為明顯，主要包括：

1）省去了電鍍設備進出料端電池片在水平方向與垂直方向之間的轉換過程，生產效率更高；

2）不使用掛具，降低了破片率；

3）通過平躺流片的方式，改善了電鍍不均勻的問題，降低電鍍液使用量。

2）後處理。去除感光膠層和種子層等。

通過鹼性溶液，去除矽片正、背面的感光膠層，通過金屬蝕刻溶液，去除矽片正、背面的銅柵線區域外的銅種子層。

銅電鍍技術相較銀漿絲網印刷技術，可以同時兼顧降本和提效。提效端：銅電鍍當前效率較銀漿提升 0.2%，隨著工藝優化，預計未來電鍍銅較銀漿可以提效 0.3%-0.5%，其原理是銅電鍍可以減少光學損失和電學損失：

1）銀漿是混合物，而銅柵線是純銅，故銅柵線的電阻率比銀漿低；

2）銅柵線線寬較細，而低溫銀漿的粘稠性使得製成的柵線線寬較寬，更細的柵線光學損失更小。

降本端：使用銅代替銀能有效降低金屬化成本。

電鍍銅短期內量產成本 0.12 元/W，預計遠期成本可以降至 0.08 元/W左右，大幅低於絲網印刷成本。

我們估計當前電鍍藥水/掩膜材料/設備折舊/運行費用為 0.03/0.03/0.02/0.04 元/w，據我們測算，未來隨著設備產能增加、材料成本下降，預計成本還有接近 50%的下降空間。

目前銅電鍍尚處於產業化導入階段，部分領先設備已在下游有驗證。

圖形化廠商中邁為股份、芯碁微裝進展較快，芯碁微裝雷射直寫樣機已交付；電鍍廠商中捷得寶、羅博特科進展較快，捷得寶為海源復材一期 600MWHJT 提供銅電鍍設備，目前產能已實現 7500 片/h，雙面鍍銅，良率 95%以上。

2.3.4 0BB：降銀 1/3，蓄勢待發

0BB 能夠降低 1/3 的銀耗。0BB 即無主柵技術，在電池片中取消了主柵，採用互聯焊帶與電池輔柵相連。

目前主流 HJT 玩家銀耗已降至 18mg/W 左右，其中主柵 8mg，副柵 10mg，0BB 後銀耗將進一步下降至 12mg/W。

2.3.5 雷射轉印、鋼板印刷：新興金屬化技術

雷射轉印、鋼板印刷可以解決傳統絲網印刷存在的缺陷。

傳統絲網印刷存在印刷速度低、容易堵網、柵線過寬等問題，因此設備廠商都在嘗試使用更適合 HJT 的印刷技術，目前具有代表性的主要包括帝爾雷射的雷射轉印技術和邁為股份的鋼板印刷技術。

非接觸印刷減少裂片風險，雷射印刷正在驗證。

雷射轉印是一種新型的非接觸式的印刷技術，原理是通過降低柵線寬度以達到縮減銀耗量的目的。帝爾雷射公司通過雷射轉印技術在 PERC 電池上驗證的銀漿耗量節省約 30%。

而 HJT 電池柵線寬度大，銀耗量高，預計該技術在 HJT 電池上帶來的銀耗量減少效果會更加顯著。

HJT 電池

目前採用絲網印刷的線寬約 40 um，雷射轉印有望做到 22 um，並實現更均勻、更細的柵線；另外，傳統擠壓式印刷下矽片過薄容易破碎，而使用非接觸式的雷射轉印有助於矽片減薄。

鋼板印刷有望取代絲網印刷成降低銀耗新路線。

與傳統絲網印刷相比，鋼板印刷採用平整、超強材質的合金鋼片為原材料，較絲網印刷的鋼絲+PI 結構具有更高的穩定性和更長的使用壽命。

同時，鋼板印刷的細柵部分是 100%的無遮擋結構，克服了絲網印刷技術下柵線高低起伏、不均勻的問題，從而提高電學性能。

根據邁為股份公告，在銀漿耗量上，由於柵線印刷區域為全開口結構，印刷高度均勻，在製造相同效率電池的情況下，淨節省 20%左右的銀漿。

目前，鋼板印刷已經通過了邁為股份實驗室和中試線的測試，華晟和邁為也進行了合作並完成了初步測試。

2.4 降本之非矽成本#2：靶材降本多管齊下，少銦化是核心目標

設備優化+回收+疊層設計助力少銦化。目前市場主流製備 TCO 薄膜的路線為 PVD，使用的靶材為 ITO 和 AZO。

在設備端，通過優化載板設計和磁場設計，可把銦耗量降低至 20mg/W；其次，生產過程中 PVD 擋板、托盤中也會殘留 ITO，回收利用該部分 ITO 的成本約 250-900 元/kg，遠低於原生銦的成本 650-1000 元/kg；ITO+AZO 疊層設計可實現效率相當情況下銦用量降低 50%。

根據邁為股份於蘇州產業建設大咖會上披露，24 年 HJT 將實現銦含量低於 1mg/W，甚至完全無銦。

2.5 降本之非矽成本#3：設備投資額未來仍有下降空間

設備國產化進程加速，未來有望降至 2.5-3 億元/GW。

在 2019 年之前，HJT 設備未能實現國產化，主要依賴進口，成本約為 10~20 億元/GW。

2019 年後內廠商開始推進設備國產化替代進程，目前國內設備龍頭企業邁為、捷佳、鈞石均已具備 HJT 整線設備供應能力，單 GW 投資金額由早期的 10 億元以上下降到現在的3.5-4 億元，設備產能也提升至單台 500-600MW。

據 Solarzoom 預計，隨著核心零部件國產化（如真空泵、電源國產化等）降價，以及設備產能提升進一步攤薄成本，24 年 HJT 整線設備成本有望降至 2.5-3 億元/GW。

三、HJT 尚受成本限制，多路徑降本後產業化將至

3.1 HJT 目前成本仍較高，多因素持續推進降本

提效降本持續推進，預計 23 年組件端成本打平 PERC。

由於 HJT 銀漿成本、設備折舊、靶材成本較高，我們測算當前時點 HJT 電池端非矽成本 0.33 元/w，電池端成本較 PERC 高出接近 0.2 元/w。

當前時點 HJT 尚不具備經濟性，短期內仍將以降本提效為突破口，目前進展較快的包括雙面微晶、轉光膜、120um-130um 薄矽片、0BB 等，隨著這些手段陸續導入，我們預計 23 年 HJT 組件端成本將打平 PERC，具體降本增效進展包括：

1）當前單面微晶提效 0.5-0.6pct，雙面微晶可再提效 0.3pct，隨著後續工藝優化，雙面微 晶仍有進一步提效空間。產業鏈進展方面，進展較快的有華晟二期 210 單面微晶項目，公司預計將在 23Q1 滿產，邁為 210 雙面微晶設備已發貨至金剛酒泉項目，公司預計 23Q1 將出片，23 年雙面微晶大規模導入；

2）矽片減薄至 120-130um，目前金剛光伏的吳江產線已全面量產使用 130 um 矽片，同時下一步目標是 120um 矽片的導入，華晟自建 120um 半片切割產能即將導入，根據我們測算，矽片厚度每下降 10um，單瓦矽耗降低約 0.1g/w；

3）當前主流玩家銀耗 18mg/W（主柵 8+副柵 10），0BB 後耗量有望下降至 12mg/W，按 銀價 6500 元/kg 測算，漿料成本將降至 7 分/W；

4）轉光膜可提升組件功率 1.5%-2%，華晟已與賽伍簽訂 2 年 10GW 訂單，愛康導入在即。

3.2 經濟性限制短期產能投放，大量規劃產能待落地

由於 22 年 HJT 尚不具備經濟性，故 22 全年落地產能僅 11GW 左右。隨著薄矽片+銀包銅 +0BB+微晶化等降本提效工藝導入，HJT 經濟性逐步凸顯，各路玩家紛紛入局，我們預計 23 年 HJT 新增產能將達 60GW 以上，23 年全行業產出 20GW。

老牌龍頭中東方日升進展較快，根據公司披露，截至 22Q3，日升異質結組件出貨 350MW，23 年將有 5GW 產能達產，其他老牌玩家如通威、隆基、晶澳均有技術儲備，目前通威採用理想萬里暉 PECVD 設備 HJT 電池最高轉換效率已達到 25.18%，並已形成 1.4GW HJT 產能，隆基 HJT 效率突破 26.81%，刷新世界紀錄。

新入局玩家主要以華晟、愛康、金剛玻璃等為主，其中進展較快的：

1）華晟安徽一期已滿產，公司預計二期 210mm 單面微晶 23Q1 滿產，23 年總產能將達 15GW；

2）金剛光伏酒泉項目 210 雙面微晶設備已到場，公司預計 23Q1 將出片，23 年產能將達 6GW；

3）愛康湖州規劃 3 條 600MW 量產線，採用邁為整線設備，目前第一條線已出片，公司預計另外兩條線也有望今年上半年投產。

四、報告總結

基本面上看，我們測算當前 HJT 電池端非矽成本 0.33 元/W，即使考慮到矽片減薄帶來的非矽成本下降，電池端總成本較 PERC 仍高出接近 0.2 元/W。

受制於當前較高成本，當前 HJT 尚無法盈利，但多種降本增效技術已如箭在弦，短期內有望密集落地。

隨著薄矽片+銀包銅+0BB+微晶化+轉光膜等降本提效工藝導入，我們預計 23 年 HJT 組件端成本有望打平PERC，經濟性凸顯後，HJT 擴產規模有望超市場預期，應密切關注產業鏈降本增效進展。

業績釋放角度看，設備先行是新技術發展初期的重要邏輯，設備商將最先兌現業績，加之當前 HJT 單 GW 設備投資額高達 3.5-4 億元/GW，設備商市場空間較 PERC 和 TOPCon 更為廣闊，HJT 設備廠商值得關注，顛覆性技術電鍍銅亦有巨大想像空間。

中期維度上，技術紅利期領先電池廠有超額收益，HJT憑藉更高的效率、更高的雙面率、更低的溫度係數，能夠有效攤薄初始投資成本，並在全生命周期內擁有更高的發電量，進而降低下遊客戶 LCOE，有望較 PERC 和 TOPCon 形成銷售溢價，23 年 HJT 成本打平 PERC 後，領先電池廠有望享受技術領先帶來的超額收益。

風險提示

新增光伏裝機不及預期。新增光伏裝機是衡量行業景氣度的重要標誌，若新增光伏裝機不及預期，則影響行業的景氣度，對產業內公司產生不利影響。

行業競爭加劇。若電池行業競爭加劇，電池價格降幅超預期，產業鏈內公司營收和毛利率將會承壓，拖累行業內公司業績。

新技術進展不及預期。由於光伏新技術目前尚處於導入發展期，其進度具有一定不確定性， 若新技術進展不及預期，將導致產業化進展變緩。

貿易政策風險。國際政治經濟形勢複雜多變，貿易環境和政策變化存在不確定性。如果國際政治經濟形勢惡化將對公司業績產生不利影響。

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