3月22日，英偉達CEO黃仁勛在公司GTC2023大會上宣布推出光刻計算庫cuLitho，該計算庫是由英偉達聯合台積電？ASML和新思科技研發四年實現，將計算光刻速度提升40倍以上，使得2nm及更先進晶片的生產成為可能，並且台積電將於今年6月份對cuLitho進行生產資格認證。

很恐怖哈，我們還在掙扎14nm生產工藝的時間，老美要搞出來2nm了，這差的不是一星半點，毫無疑問後面還得被老美」卡脖子「，下面就詳細對比說說。

中國和老美目前分別能做到幾納米晶片生產？

• 中國：目前最先進14nm，當前在突破7nm工藝技術，代表公司為中芯國際，使用的ASML進口的DUV光刻機，這種光刻機一般用來生產28nm以上的晶片，隨便出口。
• 美國：目前在生產5nm，已經實現了3nm工藝技術研發，代工廠代表為台灣台積電，必須使用EUV光刻機，目前只有ASML可以製造，不對中國出口。

DUV光刻機和EUV光刻機有什麼區別？

• 發光原理：DUV光刻機使用的是深紫外線光源，波長193nm；EUV使用的是極紫外線光源，波長13.5nm，差距很明顯，波長越短，能實現的解析度越高，解析度高出了14倍。
• 光路系統：DUV主要利用光學折射原理，介質為空氣；EUV利用光的反射原理，且光源極易被介質吸收，必須是真空條件。
• 光學模組：EUV光刻機光學模組，必須依賴德國蔡司，EUV光源能量不能被損失，要求極高，其他公司造不出來。

這麼說吧，一台EUV光刻機大約相當於2個公交車大小，重量200噸，10萬多個零件，4000多條線路，2公里長管線，需要用三架波音飛機才能運輸。售價13億人民幣，運費及護理大約10億人民幣，安裝調試需要半年，安裝調試費上億（雖然我國不缺錢但是不賣給我們）。

生產高精度晶片需要什麼條件？

說兩個最主要的：

• 工藝技術：如曝光技術、刻蝕技術、三維堆疊集成技術等，主要目的是控制晶片上微小結構和元件的大小，以及在晶片表面上形成所需的團和電路，可以認為是理論基礎。
• 製造設備：如光刻機、化學機、離子注入機等設備，工藝技術上每一步都需要依賴製造設備來實現，光刻機是卡脖子最大的一個環節。

目前看來中國芯研發任重道遠，當前不僅EUV光刻機受制於老美，生產工藝技術上也部分依賴美國。因為各種因素，我國無法實現7nm晶片生產，而高端設備又必須依賴，進口晶片的金額達到了4400億美元（占全球晶片80%），最最主要一旦被制裁花錢也不賣給你。。。這點就沒辦法了，希望早日突破技術封鎖。