我國場效應電晶體（FET）研發熱情高漲 MOSFET為其代表產品
場效應電晶體（FET）又稱場效應管，指利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的半導體器件。場效應電晶體具有易於集成、輸入電阻高、功耗小、沒有二次擊穿現象、噪聲小等優勢，在組合邏輯電路、放大器、電源管理、測量儀器等領域應用廣泛。場效應電晶體通常可分為金屬-氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）和結型場效應電晶體（JFET）兩類。
金屬-氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）為場效應電晶體代表產品，指柵極被絕緣層隔離的場效應電晶體。MOSFET具有易於驅動、開關速度快、熱穩定性好、輸入阻抗高等優勢，在數字電路和模擬電路中應用較多。按照通道極性不同，MOSFET可分為P溝道型（PMOS）和N溝道型（NMOS）兩類。我國為全球最大MOSFET消費國，2022年我國MOSFET市場規模突破50億美元，占據全球近四成。
根據新思界產業研究中心發布的《2023-2028年場效應電晶體（FET）行業市場深度調研及投資前景預測分析報告》顯示，場效應電晶體主要應用於組合邏輯電路、放大器、電源管理、測量儀器等領域。放大器領域為場效應電晶體最大需求端，場效應電晶體放大器具有輸出阻抗低、輸入阻抗高等特點，可應用於醫學設備、微流控設備、電力系統、通信系統等。伴隨市場需求增長，場效應電晶體行業發展空間將進一步擴大。
我國場效應電晶體生產企業眾多，市場競爭激烈，主要包括燕東微、東微半導、士蘭微、新潔能、揚傑科技、國光電氣、華大九天、民德電子、廣微集成等。廣微集成專注於分離柵低壓場效應電晶體（SGT-MOSFET）、MOS場效應二極體（MFER）等產品的研發、生產及銷售，目前已成為我國功率半導體產業代表企業。
近年來，伴隨國家政策支持，我國場效應電晶體研發熱情持續高漲。2023年3月，北京大學彭海琳研究團隊自主研製出全球首例外延高κ柵介質集成型高性能二維鰭式場效應電晶體（2D FinFET），該產品未來有望在晶片技術中獲得廣泛應用。
新思界行業分析人士表示，作為功率半導體器件，場效應電晶體在眾多領域擁有廣闊應用前景。未來伴隨研究持續深入，我國場效應電晶體可應用範圍將得到進一步擴展。受益於下游需求日益旺盛，我國場效應電晶體市場規模不斷擴大。MOSFET為場效應電晶體代表產品，隨著其市場占比不斷提升，我國場效應電晶體行業發展速度加快。