寬禁帶聯盟
國家自然科學基金十四五規劃發布 優先發展領域含寬禁帶半導體
近日，從國家自然科學基金委員會獲悉，《國家自然科學基金「十四五」發展規劃》已正式公布，共計21個章節，完整的闡明了國家自然科學基金委十四五期間的發展方向與相關理念，其中值得注意的是，本次公布了完整的115項「十四五」優先發展領域。
三菱電機宣布，投資建8吋SiC工廠，產能提高五倍
三菱電機公司日前宣布，將在截至2026 年 3 月的五年內將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約 2600 億日元，主要用於建設新的晶圓廠，以增加碳化矽 (SiC) 功率半導體的生產。
氧化鎵晶體生長方法的選擇
兩種用於生產β-Ga2O3的最常用技術——提拉法和導模法的優缺點是什麼？作者：Jani JESENOVEC和John McCloy，華盛頓州立大學超寬帶隙材料，如Ga2O3、AlN和金剛石，具有非常高的本徵擊穿電場，這使它們成為處理高功率的特殊候選者。
金剛石在 GaN 功率放大器熱設計中的應用
摘要：隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發展，其熱耗不斷增加，散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導率高達 2000 Ｗ/(m·K)，是一種極具競爭力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
如何精確測量SiC和GaN器件，以挖掘潛力，優化效率和可靠性
以氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）為代表的第三代半導體，由於其優異的特性得到了快速的發展，然而，如何精確測量這些器件的參數也特性，以挖掘他們得潛力，優化其效率和可靠性，卻需要高精度的測試測量設備和專業的方法。
綜述| 功率器件封裝結構熱設計綜述
來源 | 中國電機工程學報，中國知網作者 | 王磊1，魏曉光1*，唐新靈1，林仲康1，趙志斌2，李學寶2單位 | 1. 北京智慧能源研究院；2. 華北電力大學新能源電力系統國家重點實驗室原位 | DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.
中國電科：國產碳化矽器件和設備取得突破
近日中國電科公布一系列成果，顯示在國產碳化矽（SiC）設備及器件上取得突破。圖：中電科55所生產線4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯合研發的首款750V碳化矽功率晶片完成流片，首款全國產1200V塑封2in1碳化矽功率模塊完成A樣件試製。
碳化矽MOSFET在電動汽車熱管理系統中的研究
最後通過電機對拖實驗得出控制器應用碳化矽MOSFET時的效率，驗證出在電動汽車熱管理系統中，空調壓縮機控制器應用碳化矽MOSFET能有更高的效率，有利於電動汽車的熱管理。
如何實現SiC MOSFET的短路檢測及保護？
SiC功率MOSFET由於其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲，門極驅動的設計在應用中就變得格外關鍵。