半導體的摻雜性

光電科學史 發佈 2020-01-04T17:23:50+00:00

特斯拉夢想的那種取之不竭的能源,也可以靠太陽能電池來實現。太陽能電池大多數用的材料是『矽』,因此,我們再返回到半導體特性的發現過程。不同於半導體的姍姍來遲,人類使用金屬的歷史,可一直追溯到幾千年前的青銅時代。

特斯拉夢想的那種取之不竭的能源,也可以靠太陽能電池來實現。太陽能電池大多數用的材料是『矽』,因此,我們再返回到半導體特性的發現過程。

不同於半導體的姍姍來遲,人類使用金屬的歷史,可一直追溯到幾千年前的青銅時代。雖然金屬的最早用途,是作為工具和武器,但早在17世紀,歐洲科學家已經開始對金屬的導電性能有所研究和認識,他們把電流能流過的物體稱為導體,不允許電流通過的物體叫做絕緣體。

當然,在現代人眼中,導體和絕緣體的差別更清楚、更量化了。科學家們用一個數字:電阻率,來區分它們。電阻率表明了物體阻擋電流的程度。數字越小,說明越不阻擋,即電流越容易通過。比如,一般將電阻率小於十萬分之一(10^(-5)Ω·m)的材料稱為導體,如金屬材料等。而將電阻率大於一億(10^8Ω·m)的材料稱為絕緣體,如陶瓷、橡膠、塑料等。

看了上面所說的導體和絕緣體的電阻率的大小範圍,疑問自然就來了:導體的電阻率小於十萬分之一,絕緣體電阻率大於一億,中間還有這麼一大段,是怎麼回事呢?顯而易見,物理學家們將那一段範圍的電阻率,留給了他們所鍾愛的半導體。

用電阻率來區分導體、半導體、絕緣體,使得它們的界限清楚,但同時卻又使得它們的界限模糊。這是因為,某種物質的電阻率並非一成不變的,它們會隨著溫度、光照、種種外界條件的變化而變化。剛才將導體、半導體、絕緣體等物質進行粗略分類的電阻率,指的是常溫下的數字。如果條件變化了,各種材料的電阻率會變化。也就是說,一定條件下,原來我們稱之為半導體和絕緣體的東西,也有可能表現出導電的性能;原來導電的,也有可能變成不導電。

半導體之所以很晚才被人類所認識,原因之一是因為半導體的另外一個性質:摻雜性。

什麼意思呢?就是說,只要半導體材料中加進了微量的雜質,就會使材料的性能有很大改變。而天然的沙子和石頭中,雖然包含了大量的矽,但卻是非常不純凈的材料,只不過是一塊堅硬的石頭。矽小姐並不單純,入污泥而盡染!已經完全沒有了原來的秉性。後來,科學家們發展了先進的提純技術,材料的半導體特性,諸如前面所敘述的:熱敏性、光敏性、整流性等等,才得以表現出來。

有趣的是,太純凈的矽,有時在應用上也不是最理想的。「水至清則無魚,人至察則無徒」。如果在純凈的矽晶體中,人為地摻和一些雜質,會得到某些特別的性質,這就是我們下面要提到的PN結。

儘管很早就有了礦石收音機,但在上世紀40年代之前,無線電設備大多數使用真空管。因為當時的半導體(礦石)用起來,是如此的不穩定和神秘莫測,那根『貓鬍子』,需要在礦石上移來移去,仔細探索磨蹭老半天,才好不容易使收音機響起來。遠不如真空管元件,使用起來既簡單又可靠。特別是在1907年,美國發明家德福雷斯特(De Forest Lee),在真空二極體的燈絲和板極之間巧妙地加了一個柵板,從而發明了第一隻真空三極體之後,這個三腳貓的功夫了得!它的放大作用和開關功能,是當時的半導體完全做不到的。

羅素(Russell Ohl)是美國新澤西州貝爾實驗室的一位研究人員。他一直研究矽晶體,注意到矽材料對純度的敏感性。特別是有一次,1940年2月23日那天,當他用貓鬍子探測器的一個舊晶體做實驗的時候,發現一個奇怪的現象。

那塊舊矽片黑乎乎的,看不太清楚,總也調不出電流來。於是,羅素用手電筒照到矽片上,研究是怎麼一回事?他注意到在矽片中間有條細小的裂縫,便用電筒的強光照過去。咦!奇怪的事情發生了:線路中接著的電流表使勁地跳動了一下。他連續地用光照射裂縫,電流表便連續指示出一個比羅素所期望的值大得多的數字!羅素又將線路中電源的極性反過來接,那樣一來,電路就不通、電流表不動作了。

也就是說,這片矽晶體在光照下表現了整流性,而且,誘發的電流比純凈的矽晶體誘發的電流要大得多。實際上羅素髮現,在光照時,裂縫的兩邊形成了一個0.5V左右的電壓差,這是什麼原因呢?

圖5.1:a)羅素和Jack Scaff;b)PN結的形成;c)電晶體的發現者

當時,電晶體發明者之一的沃爾特•布拉頓解釋了這個羅素認為古怪的現象。

沃爾特·布拉頓於1902年出生在中國南方美麗的城市廈門,因為他的父親那時正在中國任教。布拉頓獲得物理博士學位後,便在貝爾試驗室研究真空管。他被梅文·凱利叫來看羅素的實驗結果時,也感到很吃驚,不過,腦中立刻就想到了解釋。

原因一定是在於矽片上的那道裂紋!裂紋使得晶體兩側的純度不同,雜質也有所不同。因而造成了一側有更多的自由電子,而另一側則有更多的空穴。見圖5.1b。由於電子空穴的異性相吸作用,它們的移動使得在中央裂紋處形成一個薄薄的電壓差,這樣,電子便只能在一個方向跨越電壓差而流動。

後來,專家們把有過多電子載流子的半導體叫做N型半導體,有過多空穴載流子的半導體叫做P型半導體。當這兩種形態的半導體接觸在一起時,就形成了一個PN結。

在羅素的實驗中,由於光照,電子從N型半導體中被踢出來,在一個方向(從n到p)形成電子流,這其實就是矽材料的光電效應,羅素所用的矽晶體,就是現代太陽能電池的始祖。

也就是從羅素髮現PN結的那一天開始,貝爾實驗室改變了對矽晶體的想法,誰知道呢,沒準兒這小玩意兒還真能替代又大又重的真空管啊。

第二次世界大戰更是突出了對半導體新材料研究的緊迫性,1945年夏天,貝爾實驗室正式制定了一個龐大的研究計劃,決定以固體物理為主要研究方向。這個計劃直接導致了電晶體的發現。1948年,貝爾實驗室的三個年輕人:威廉•肖克萊、約翰•巴丁、和沃特•布拉頓,成功地製成了世界上第一個半導體三極體。這個被稱為「三條腿的魔術師」的東西,使他們獲得了1956年度的諾貝爾物理學獎,也使人類邁向了一個嶄新的固體電子技術時代。

再後來,肖克萊到加州創建矽谷,招聘人才,將神秘的矽火在矽谷點燃。

上世紀50年代開始,特別是當初號稱『八大金剛』的肖克萊的追隨者們,創建了仙童半導體公司,發明了第一個實用的集成電路之後,半導體技術的發展如日中天。

集成電路的最早構想,是1952年由英國雷達研究所的電子工程師杜默(GeoffreyW. A. Dummer)提出來的。1958年,德州儀器公司的基爾比用一個矽片,成功地製造出了一個振蕩電路,他用半導體作電阻,一個PN結作電容。因為這個簡單線路的5個元件集在一個晶片上,所以成為了世界上的第一個集成電路。後來,仙童半導體公司的諾伊斯(RobertNoyce),利用蝕刻等方式,解決了集成電路中導線連接的方法,使集成電路真正走向實用。

從發現、提純、摻雜,到PN結,到電晶體,到集成電路,到目前包含幾十億個元件的超大規模集成電路,半導體材料走過了一段漫長的歷史,這是一個真正點石成金的過程。如今,睡美人眼中閃爍的矽晶之火,已在全世界掀起燎原之勢,蔓延成熊熊烈焰,為人類開闢了一個計算機、通信、電子時代的新紀元。

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