大眾所知的是，DRAM存儲器市場及先進的工藝集中度很高，當前被少數幾家廠商掌握，據中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket公布的數據顯示，2019年，在全球DRAM內存市場，三星獨占46%的市場份額，海力士占29%，美光占到的市場為21%。
在DRAM內存的春風一波波襲來時，工藝疊代、產品疊代及產能控制，成了DRAM存儲器廠商提升盈利能力的重點。而為了提高生產效益及拉大競爭差距，DRAM存儲大廠已競相推進下一代工藝技術。
關於DRAM存儲器製程工藝，目前先進的DRAM器件均在18nm-15nm區間徘徊，進展緩慢，總是無法做出突破。三星作為內存龍頭一直致力於推動DRAM製程發展，從去年起就有消息傳出將在DRAM製程中引入EUV（極紫外光刻）技術。
自去年開始，有消息稱SK海力士已經向荷蘭ASML下單購買EUV光刻機設備，並有意應用於DRAM製程，但是SK海力士官方並無確認。目前SK海力士最先進的DRAM產品為第三代10nm級（1Z）DRAM，且該產品較上一代1Y產品生產效率提高了約27%，無需極紫外光技術即可生產。
美光在三家中對EUV技術的態度最為保守，有消息稱，美光推遲了EUV的導入，可能推遲至1γnm技術之後，具體什麼時間不確定。目前，美光大規模生產的製程為1Znm工藝，下一代微細化工藝技術被命名為1α、1β和1γnm。
日前，三星宣布已經成功出貨了100萬個基於EUV技術的10nm級（D1X）DDR4模塊。此外，三星還表示，從第四代10nm級（D1α）或更先進的14nm級DRAM存儲器開始，三星會將EUV技術全面應用在下一代DRAM產品中。預計將從2021年開始批量生產基於D1α的DDR5和LPDDR5，將使12英寸晶圓的生產效率提升一倍。
實際上，EUV減少了多重圖形製作中的重複步驟，並提高了圖案的解析度，從而提高了性能、產量並縮短了開發時間。除了晶圓代工邏輯工藝採用EUV成為趨勢，包括台積電、三星在7nm開始採用EUV技術後，三星計劃擴大應用至DRAM工藝。
此前有消息稱，三星斥資33.8億美元向ASML採購20台EUV光刻機，不僅用於7/5nm等邏輯工藝，還用在DRAM內存晶片生產上。
作為全球首家在DRAM內存上引入EUV技術的大廠，三星早在2019年11月便已採用EUV技術生產1Z nm的DRAM內存。不過，據知情人士透露，三星在初期的用量不大，在華城17產線與晶圓代工事業部共享EUV設備的方式進行，然後平澤工廠也會啟動EUV技術量產DRAM內存，顯示三星DRAM正式走向EUV技術。
2019年第4季度，在DRAM跌入低谷時，三星成為唯一在DRAM業務上扭虧為盈的主力廠商，原因就是通過向1Y工藝過渡，降低了生產成本。2020年，DRAM主力廠商將逐漸從1Y向1Z過渡。根據三星測算，1Z納米DRAM不用EUV設備的情況下，也比目前1Y納米DRAM產能提升20％。
三星的1Z納米工藝屬於第三代10nm級工藝，但這不代表10nm工藝。目前10nm工藝主要被分為1Xnm、1Ynm、1Znm等，這是因為DRAM在提升小於20nm的製程變得非常困難，所以DRAM內存工藝的線寬指標不再那麼精確；而1Xnm工藝相當於16nm-19nm，1Ynm工藝相當於14nm-16nm，1Znm工藝大概是12nm-14nm級別，在這之後還有1α、1β及1γ工藝。
在三星率先將EUV技術導入1Z納米DRAM後，另外兩大DRAM存儲器廠商——海力士和美光，也透露將考慮評估採用EUV技術，業界預期將可能在1α納米或1β納米世代開始導入。
據悉，SK海力士在韓國利川市新建的DRAM生產工廠中，研發內含EUV技術的DRAM存儲器生產技術。更有消息稱，SK海力士已經向ASML下單購買EUV光刻設備，並有意應用於DRAM製程工藝，不過海力士官方對此並沒確認。目前SK海力士最先進的DRAM產品為第三代10nm級（1Z）DRAM，較上一代1Y產品生產效率提高了約27％，無需EUV技術就可生產。
三星積極地導入EUV技術，海力士也在跟進，美光的動作似乎略顯保守。此前美光在2018年曾提過，即使到了1α及1β工藝節點，也沒有用EUV技術的必要性，不過後來美光態度出現轉變，並表示從進入1Z納米之後將會持續評估用EUV技術的DRAM成本效益，不排除在合適時間點導入EUV設備。有消息稱，美光推遲了EUV的導入，可能推遲至1γnm技術後，具體什麼時間暫時不確定。
隨著上億美元的EUV設備導入，意味著10nm DRAM工藝競賽升溫，也將極大提升DRAM先進工藝領域的准入門檻。在DRAM存儲器廠商陸續進軍1Znm工藝，並布局引進EUV光刻機技術後，對國內DRAM存儲器產業必然會造成一定影響。
目前，國內DRAM內存領域排名第一的本土廠商長鑫存儲，用的是10G1工藝生產DRAM內存，也就是10nm級第一代工藝，更確切地說是19nm工藝，跟三星相比在技術上落後了兩三代。但從長鑫存儲的規劃圖得知，下一代將推出第二代10G3（17nm）技術，計劃在2021年完成對17nm工藝技術的研發，即國產1Xnm工藝將在2021年完成，與國際主流DRAM廠商相比也是有著多達5年的差距。
與邏輯製程工藝的路徑相似，DRAM的物理極限約為10nm左右。從2016年起，DRAM廠商開始用1Xnm節點制不斷逼近物理極限。目前三星已經推進1Znm工藝，後續進入1anm工藝將更加困難。業內人士表示，隨著後續工藝難度的加大，或許將很難維持一年一個工藝的進度，是國內廠商追趕國際一流存儲器大廠，在工藝上縮小差距的好時機。