隨著USB PD快充的普及，市面上支持PD供電的無線充電發射方案也逐漸成為主流，不過這些方案大部分都需要外掛一顆協議晶片，導致PCB外圍電路複雜、整體方案BOM上升，產品競爭力下降。
EESON一鑫研創繼之前的LY6105A、LY7105A、RX測試模組等高整合度方案後，針對目前的PD接口的無線充電產品，又推出了GPM8FD3331B SOC高整合晶片，將PD的晶片協議、LDO、驅動整合到無線充電的MCU里，以提升產品整體的競爭力。
同時，該晶片的發射功率最高可達30W，支持目前市場無線充電通用Qi協議：BPP 5W，蘋果7.5W，三星10W及EPP標準協議（小米10W、索尼快充、LG快充、Google快充等），支持Qi標準的BPP、PPDE、EPP等認證。
一、一鑫研創GPM8FD3331B五大特色
1、內置LDO2、內置高性能雙通道驅動
3、內置PD協議
4、方案最大功率可達30W（20V輸入）
5、可做單線圈（MPA11）、雙線圈(MPA20)、三線圈(MPA20)
二、一鑫研創GPM8FD3331B方案分析
以單線圈MPA11定頻調壓方案為例，PCBA效果圖如上示。
目前市面上常見的EPP定頻調壓架構上需要單獨用到1顆PD協議晶片、1顆LDO、2顆驅動、2顆MOS等；Eeson此次的定頻調壓方案，是聯合老牌晶片原廠凌通科技（凌陽）定製的專屬無線充電單片機，由Eeson一鑫研創自行進行方案研發，晶片本身內置LDO和雙通道驅動，所以硬體架構上只需再配合2顆雙NMOS，1顆調壓Buck IC，即可實現QI的MPA11標準定頻調壓方案。
實際測試最大功率可達30W，如下圖示輸入為：20.0V/2.45A，輸出為：12.70V/3.10A，初步估算效率為80.34%左右。
在輸入電壓方面，這款方案有2種選擇：
1、固定DC電壓輸入，支持12V~20V任意電壓，電流有1.5A以上即可，具體視要做到的發射功率而定；
2、標準Type-C PD協議適配器輸入，GPM8FD3331B內置PD協議，兼容市面上常規的PD適配器，默認從適配器獲得12V輸入。兼容性測試展示如下：
Qi認證，EPP協議已在實驗室完成重要項目的預掃動作，保障後面客戶正式做Qi EPP認證沒有問題。
三、一鑫研創GPM8FD3331B規格參數
從上面的晶片BLOCK DIAGRAM可以看出GPM8FD3331B 主頻65.38MHZ，ROM 32K，RAM 256Byte+3K，內置高精度晶振、LDO、Gate Driver、解碼OP，屬於高集成度的無線充電專用晶片。
最後介紹一下本次研發的無線充電方案商：深圳市一鑫研創科技有限公司是一家有獨立研發團隊，專注於無線充電方案研發，目前隸屬於老牌無線充電晶片原廠凌通科技有限公司，研發團隊每個核心成員具有8年及以上的無線充研發經驗，目前已在市場銷售方案如下：