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近日，外媒一則報導指出，隨著全球對智慧型手機、智能手錶等各種電子產品和智能產品的需求高漲，也將帶動對半導體元器件的需求，預計明年全球半導體元器件的出貨量將再次超過1萬億件，達到10363億件，較2019年增長7%。在全球半導體市場即將迎來復甦之際，我國的晶片產業也傳來了三大好消息。
據快科技報導，作為「中國芯」企業重要代表的合肥長鑫，今年的DDR4內存晶片產能將擴展到4萬片晶圓/月，這個產能大概能在全球內存晶片市場占據3%的市場份額。據悉，去年9月，合肥長鑫宣布其DDR410nm內存晶片正式量產，成為國內第一家內存晶片供應商。此外，長鑫還奮起直追，通過耗資25億美元，研發出了10nm級的自主產權的內存晶片，欲對世界一流內存晶片製造商進一步追趕。
另一邊，作為我國的晶片大戶，華為在2月24日當天發布了 800G 模塊產品，其中採用了自主研發的 DSP晶片。據悉，800G 模塊的配套晶片主要是光電子通信晶片，用於完成光電信號的轉換，屬於通信核心器件。按照華為的說法，800G 模塊產品支持業界最大的單纖 48T 傳輸能力，相比業界能力高出40%。而華為創始人任正非也在去年接受英國 BBC 採訪時指出，「現在我們能做 800G 光晶片，全世界都做不到，美國還很遙遠。」
在上述兩家企業傳出好消息之際，去年宣布完成14nm晶片量產的中芯國際，也在2月27日當天對外透露，萬眾期待的7nm晶片有望在今年第四季度小規模生產。此外，中芯國際還在進一步研發7nm工藝的低功耗、高性能版本——N+1、N+2代工藝，據悉，目前已有部分客戶選擇導入中芯國際的N+1 FinFET工藝用於晶片生產。
此外，在備受外界關注的荷蘭半導體設備供應商ASML遲遲還不交付EUV光刻機一事，中芯國際指出，目前的生產還不需要用到EUV工藝，之後的工藝才會大規模轉向EUV光刻工藝。早在此前，就分析指出，未來3-5年，是中國半導體產業實現「彎道超車」邁向中高端的黃金期。不得不說，在上述企業取得一系列突破下，無疑再一次對中國半導體產業產生重大利好。