文/BU 審核/子揚 校正/知秋

半導體設備是晶片產業鏈中的支柱性產業，也是國產晶片的一大痛點。

如今，我國半導體設備自給率僅為10%左右，在高端領域我國受制於人的情況更是嚴重，幾乎是一片空白。這嚴重拖了國產晶片的後腿。

不過，我國半導體設備產業並非沒有希望。

在中國半導體產業景氣與國產化率提升的推動下，越來越多的資本開始湧入國產半導體設備行業，為行業注入活力；同時，中國半導體廠商的國產替代空間也越發廣闊，業績實現了明顯增長，行業信心提升。

中國半導體設備產業，正在駛入黃金時代。中國廠商們也用一項項成績證明，它們並非沒有突圍的能力。

雷射剝離設備

近來，中國半導體設備又傳來一好消息，令人振奮。

中國電子科技集團第二研究所在SiC雷射剝離設備研製上邁出關鍵一步，讓我國離著雷射剝離設備國產化更近了一步。

值得注意的是，雷射垂直改質剝離設備有著「第三代半導體中的光刻機」之稱，可見其重要性。

如今，以第三代半導體材料為基礎的新興技術正在快速興起，成為各國爭搶的焦點。尤其是電動汽車、航空航天、5G基站等產業的發展，以及「碳中和」目標的推進，更是為第三代半導體材料帶來了廣闊的發展空間。

第三代半導體即將迎來高峰期。

國產實現關鍵突破

其中，作為第三代半導體代表性材料的SiC（碳化矽）優勢頗多，如高導熱率、高飽和電子飄移速率等等，但問題也十分明顯。其中一點便是，SiC材料不亞於金剛石的硬度，使其加工成為難題。這成為SiC材料價格昂貴、難以推廣的重要原因。

而雷射剝離設備便是SiC材料加工的利器，能在低損耗、高效率的情況下，完成對材料的價格，是受各國爭搶的關鍵裝備。

作為中國半導體設備領軍企業的中國電子科技集團，也加入了這場競爭之中，將SiC雷射剝離設備作為重點研發裝備。

而且，中國電子科技集團成功在這一領域實現了突破。據介紹，集團第二研究所已經掌握雷射剝離技術原理與工業集團，更成功做到了小尺寸SiC單晶片的雷射剝離。

中國電子科技集團的這一成績，無疑讓我國在第三代半導體材料這條新賽道中贏得了更多的機會，為國產晶片點亮了曙光。

同時，中國電子科技集團又一次證明了，中國半導體設備並非沒有突圍的可能性，中國企業正在發力！

國產設備崛起

不得不承認，國產半導體設備被「卡脖子」仍十分嚴重，但也應該看到，國產正在快速崛起。

資金支持、國家政策扶持、國產半導體的廣闊發展空間、國產替代潮流等等，都是國產半導體設備崛起的重要後備力量。

希望，在中國科學家的努力下，我國在這一領域能有越來越多的好消息傳來。