今日熱點
1. 兆易創新累計出貨190億顆，NOR快閃記憶體高居全球第三
2. 韓國NAND技術領先中國2年 ，DRAM領先5年
3. 美光創投擬投資2億美元，扶持深度科技領域初創企業
4. 這家外企加碼投資中國，稱：中國半導體行業的黃金時代剛剛開始
5. 坂本幸雄：中美對立對存儲晶片沒有影響
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兆易創新累計出貨190億顆，NOR快閃記憶體高居全球第三
據兆易創新公眾號消息，旗下Flash快閃記憶體產品累計出貨量已經超過190億顆，其中NOR快閃記憶體的市場份額更是排名全球前三。
兆易創新表示，目前其Flash產品在超低功耗、超小封裝等技術工藝上持續研發改進，例如採用WLCSP超小封裝的NOR Flash產品已經上市，對整個系統PCB的面積縮減有極大幫助；主打超低功耗的1.2V產品系列也即將面世，可顯著延長電池壽命。這些優異的特性使得兆易創新Flash成為了次世代智能穿戴應用打造高集成度、低功耗與高性能系統的存儲基石，為行業客戶賦能更多價值。
02
韓國NAND技術領先中國2年 ，DRAM領先5年
根據韓國進出口銀行海外經濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲晶片領域的技術差距為：DRAM 5年，NAND 2年。
據BusinessKorea報導，該研究院透露，中國DRAM製造企業長鑫存儲今年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產。三星電子等韓國企業計劃在今年年末或明年批量生產第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術差距為2年-2.5年，兩國之間的技術差距超過5年。
特別是，三星電子等韓國企業已經引進或計劃引進EUV設備，中國企業則受限於美國制裁很難引進。因此，很多專家認為，中國想要縮小與韓國的技術差距並不容易。
中國晶片製造商的收益率也被認為很低。OERI分析說，從2019年開始批量生產第一代10nm（1x或18-19nm）DRAM的長鑫存儲，在2年時間過去後，其產量仍停留在75%的水平。據悉，在第二代DRAM上的收益率也僅在40%左右。有分析認為，到去年年末長鑫存儲還不到1%的DRAM市場占有率不會大幅提升。
OERI首席研究員Lee Mi-hye表示：「DRAM企業的技術實力和規模經濟很重要，但中國與主要國家的技術差距很大，加上美國的制裁，很難擴大市場份額……DRAM領域不會像顯示器產業的力量轉移那樣發生快速變化。」
據推測，在NAND快閃記憶體領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲晶片企業長江存儲於2021年8月開始批量生產第6代（128層）3D NAND快閃記憶體。三星電子等韓國廠商則從2019年開始批量生產，並計劃從今年年末到明年年初，批量生產200層以上的NAND快閃記憶體，而長江存儲預計要到2024年才能實現。
03
美光創投擬投資2億美元，扶持深度科技領域初創企業
美光宣布，其旗下的風險投資團隊 Micron Ventures（美光創投）將投入 2 億美元二期基金，用於扶持專注於深度科技領域的初創企業。在面向人工智慧初創企業的一期基金取得成功後，美光的二期基金將著眼於更廣泛的深度技術創新。此外，為了踐行美光多元、平等和包容承諾，二期基金的20% 將專門用於支持由女性及其他弱勢群體領導的初創企業。
據介紹，自成立以來，美光創投已累計投資了25家初創企業，產生了豐厚的財務回報，並培育出多家行業獨角獸公司。美光創投積極加大在諸多技術創新領域的投入，包括 AI 輔助製造、邊緣安全和自動駕駛車輛研發等。此外，一期基金已投資金額中有 25% 用於由弱勢群體領導的初創企業，超過了美光最初設定的 20% 目標。美光創投還投資了一批綠色技術創新企業，這些技術有望進一步加快美光可持續發展計劃進程。
美光還與創新企業合作，為其提供支持和基礎設施，幫助他們贏得市場。除了預期的財務回報，美光還獲得了多重戰略優勢，例如加速採用人工智慧技術來降低製造成本；利用與雲服務提供商的合作提升美光產品的全球市場推廣能力；以及進一步鞏固美光在全球汽車價值鏈中的關鍵地位。
04
德國默克集團：中國半導體行業的黃金時代剛剛開始
據路透社消息，德國默克集團周二（5月31日）表示，該公司已簽署一份在中國江蘇省張家港市開設半導體材料基地的合同，是其在中國最大的單一電子業務投資。這個占地69英畝的新基地將容納薄膜材料和電子特種氣體的生產工廠、倉庫和運營中心。
默克中國總裁兼電子科技業務中國區董事總經理安高博（Allan Gabor）在一份聲明中說：「中國是最大的半導體終端市場，全球晶片總產量的一半以上流向中國。鑑於中國國內晶片製造商前所未有的產能投資和擴張，中國目前也是全球增長最快的半導體製造市場。我們相信中國半導體行業的黃金時代才剛剛開始。」
今年1月，默克集團宣布其將於2025年前在中國至少再投資20億元人民幣，用於新建和擴建一系列電子材料本地化生產、研發和供應鏈設施，以積極參與和支持中國當前蓬勃發展的半導體產業。路透社報導稱，其中5.5億元將用於張家港新基地。
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坂本幸雄：中美對立對存儲晶片沒有影響
日前，日本經濟新聞採訪了已離職數月的前紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO坂本幸雄，透過這位出身TI、曾任爾必達存儲器公司社長的存儲老將的視線，我們多了一個特殊的角度，來看待中國存儲產業乃至整個半導體產業與國際先進間的差距。
採訪中，坂本幸雄表示，中美對立對存儲晶片領域沒有影響，因為這個領域被排除在了美國制裁對象之外，存儲晶片一般被視為通用品，很難想像軍事用途，沒有制裁的戰略性意義。
坂本幸雄還表示，中國占世界半導體生產的15%份額，但其中英特爾等外資企業占6成，中國企業僅占4成。肩負中國半導體產業發展重任的人多為台灣出身，多為成品率改善等工序管理方面的技術人才，這些人在「從零開始創造價值」的研發方面缺乏經驗。
坂本幸雄指出，長鑫存儲代表中國在DRAM領域的頂尖水平，其與三星相比，技術落後4代左右。NAND快閃記憶體領域，代表中國頂尖的長江存儲，據稱將啟動128層的量產（192層雖已啟動試生產，但製造的數量過少，達不到討論競爭力的水平）。在運算用邏輯晶片領域，中國頂尖的中芯國際，最先進的製程也只是14納米，這已是七八年前的技術，其與行業頂尖——台積電的差距並未縮小。他表示，中芯國際以工序管理的工程師為中心，或難以推進新技術開發。加之美國制裁還讓其難以引進尖端的生產設備，導致其無法涉足價值巨大的處理器的尖端領域。目前，中芯國際的經營資源完全被用於14納米以上的擴產，其與台積電等行業龍頭的差距可能會不斷擴大。