作為全球最強的晶片代工巨頭，台積電於6月16日在2022年度北美技術論壇上首次宣布，將推出下一代先進工藝製程N2，也就是2nm，將採用GAAFET全環繞柵極電晶體技術，預計2025年實現量產。
2nm工藝全球首發，FinFET時代終結
GAAFET架構在近年來的半導體行業內可謂是萬眾矚目。按照「摩爾定律」來講，每隔18~24個月，晶片上的電晶體數量便會增加一倍，晶片的性能也會隨之翻倍提升。但在當前，傳統的FinFET結構在7nm、乃至5nm工藝時代已經逼近物理極限，新的電晶體技術呼之欲出。
三星比台積電更早確認將採用GAAFET架構。眾所周知，作為全球半導體製造「三巨頭」，英特爾此前卡在了10nm工藝上，從而導致在目前5nm製程時代中，僅有台積電和三星可以相互抗衡，而事實上三星始終處於落後地位。為了超越台積電，三星決心在3nm工藝製程上就採用GAAFET架構。
在2021年，三星工廠就已經完成採用GAA電晶體架構的3nm晶片流片。據三星官方表示，與7nm FinFET製程相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高35%以上，功耗降低50%，邏輯面積減少45%。
GAA電晶體擁有比FinFET更好的靜電特性，在相同尺寸結構下，GAA的溝道控制能力更強，為尺寸進一步微縮提供可能性，這意味著它能夠提供更高的性能。
但是，相比三星的激進，台積電的做法更加保守。在2022下半年即將量產的3nm製程中，台積電仍然沿用FinFET架構，將其做到接近實際極限。不過，隨著此次2nm GAAFET的正式官宣，也證明了兩家最終都會全面轉向GAA架構，無非是時間早晚而已。
當然，三星的激進是為了能夠在工藝水平上超越台積電。而後者的保守，更多的是出於成本考慮。作為全球擁有客戶訂單量最多的代工巨頭，台積電保持架構不變既能夠省掉成本和建設時間，又能減少新工藝誕生初期可能存在的「翻車」風險，讓客戶更加放心。
不僅僅是2nm晶片，台積電還將引入ASML最強光刻機
在官宣2nm晶片預計在2025年量產的同時，台積電還表示，將在2024年引進ASML阿斯麥下一代最強、最先進的光刻機，即高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV）。
根據此前阿斯麥稱道，更高的光刻解析度將允許晶片縮小1.7倍，同時密度增加2.9倍。未來比3nm更先進的工藝，將極度依賴High-NA EUV光刻機。
眾所周知，荷蘭阿斯麥所生產的光刻機幾乎壟斷上了全球範圍內的高端市場，包括台積電、三星、英特爾、以及其他半導體製造廠商，每年都會為了爭奪阿斯麥極其稀少的光刻機購買名額而煞費苦心，苦苦求而不得。
台積電和三星的7nm/5nm工藝，都是依賴ASML光刻機來進行生產。據英特爾內部透露，他們也將擁有ASML下一代High-NA EUV最強光刻機，2025年就會開始用以製造晶片。
近年來，半導體製造行業的競爭愈演愈烈，但對於這個准入門檻極其嚴苛，且投入成本龐大的專業領域來說，依然是台積電、三星等傳統巨頭的天下。