在Flash快閃記憶體的兩個類型NOR Flash和NAND Flash中，NAND Flash因其容量較大、改寫速度快等優點，得到了越來越廣泛的應用。
Flash快閃記憶體使用浮柵結構。浮柵中存儲的電荷多少取決於外部柵（如圖CG）電壓。而NAND Flash數據的表示是以所存儲的電荷的電壓是否超過一個特定的閾值電壓Vth來表示的。
所以，NAND Flash按照內部存儲數據單元的電壓的不同層次（或者說單元存儲密度）來分，可以分為SLC、MLC、TLC、QLC、PLC、HLC。對應1個存儲單元分別可存放1、2、3、4、5、6bit的數據。
SLC：Single Level Cell。
早期的NAND Flash，只需要判斷懸浮閘內是否有電荷。假設有電荷為「1」，則無電荷就是「0」。一個基本儲存單元只儲存1bit數據。這種NAND Flash被稱為SLC。它的讀寫操作簡單快速。速度快壽命長，價格貴，約10萬次擦寫壽命。
MLC：Multiple Level Cell。
後來發展出一種新的NAND Flash，一個基本儲存單元內可以儲存2bit數據。用四個參考電壓值去比較，接近哪個等級就判定為哪個值。由於讀寫過程都要進行電平比較，所以MLC的讀寫比SLC慢很多。速度一般壽命一般，價格一般，約3000~10000次擦寫壽命。
TLC：Triple Level Cell。
也有Flash廠家叫8LC。TLC則是在一個基本儲存單元內儲存3bit數據。原理和MLC一樣，八個比較電壓。由於讀寫過程中要比較的參考值比較多，所以，TLC的讀寫速度比MLC更慢。速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命，隨著技術幾步，現在可達1000~2000次。
QLC：Quadruple Level Cell。
QLC則是在一個基本儲存單元內儲存4bit數據。原理和MLC一樣，十六個比較電壓。由於讀寫過程中要比較的參考值又增加，所以，QLC的讀寫速度比TLC更慢。
PLC：Pentuple Level Cell。
PLC則是在一個基本儲存單元內儲存5bit數據。原理和MLC一樣，三十二個比較電壓。由於讀寫過程中要比較的參考值更多了，所以，PLC的讀寫速度比QLC更慢。
HLC：Hextuple Level Cell。
HLC則是在一個基本儲存單元內儲存6bit數據。原理和MLC一樣，六十四個比較電壓。由於讀寫過程中要比較的參考值更多了，所以，HLC的讀寫速度比PLC更慢。
由於多層的存儲單元需要更多的比較電壓，因此可比較電壓範圍更小，也就更容易出錯，壽命也就隨之減少。
關於擦寫壽命，有人擔心我的SSD硬碟就是TLC的，如果只有幾百次的擦寫壽命，那還能用嗎？其實大家有這個擔心多半是對「擦寫次數」的誤解。這裡的「擦寫次數」並非是通常以為的寫任意文件的次數，而是「全擦寫次數」。
以SSD硬碟為例，要解釋「全擦寫」就要先看看為了解決壽命問題SSD所採用的特殊軟體算法：磨損平衡（Wear Leveling）算法。
磨損平衡算法是為了使快閃記憶體磨損程度儘量保持一致，分為動態和靜態兩種。
動態：當有新數據寫入時，會向較新的位置優先寫入。
靜態：當沒有數據寫入的時候，會監測哪些位置比較老舊，會把這些老舊的位置作為固定存儲位置，不承擔寫入新數據的任務，這樣騰出較新的位置作為平時數據讀寫使用。
這樣一來，通過磨損平衡算法，一次「全擦寫」即表示要寫滿整個存儲空間之後再整個擦除。假如100G的SSD硬碟，擦寫次數1000次，那麼需要總共寫入100G*1000 = 100T的數據量才會出現損壞。所以看上去擦寫壽命僅千次，但實際可寫的數據量還是非常可觀的。
當然，除了上述的磨損平衡算法之外，還有其他方式保證我們使用的SSD的硬碟壽命，比如糾錯算法、冗餘空間、回收算法等，所以一個擦寫次數的指標並非影響壽命的絕對因素，而隨著技術進步，SSD硬碟的壽命也會更長。