是的，一萬億個電晶體的單晶片要來了。
目前，單個封裝可以放入1千億個電晶體。而Intel決定，把電晶體密度再翻10倍，達到萬億級。
近日，Intel中國研究院院長宋繼強在接受採訪時稱，從2023年到2030年，電晶體密度要在8年時間裡翻10倍，即實現2的3次方的提升。
儘管這個目標相當激進，但Intel依然有信心實現。宋繼強表示，要達到單個封裝中集成一萬億個電晶體的目標，主要是兩方面。
一方面，要繼續依靠電晶體微縮，例如用厚度僅僅3個原子的超薄2D材料做更高效的GAA的電晶體。
另一方面，還需要依賴3D封裝技術，能夠進一步提升整個設備中的電晶體總量。
按照規劃，Intel 4（即7納米）工藝預計年底就會進入試產階段，未來將用於第14代的Meteor Lake處理器。
2023下半年，將邁入Intel 3（3納米）製程技術，預計第一批產品會在2024上半年登場。
Intel創始人之一戈登·摩爾曾提出摩爾定律，其核心內容為：集成電路上可以容納的電晶體數目在大約每經過18個月到24個月便會增加一倍。
換言之，處理器的性能大約每兩年翻一倍，同時價格下降為之前的一半。
近年來，對於「摩爾定律」可行性的爭論在半導體業界時有發生，但由此來看，Intel仍是摩爾定律的堅定支持者。