內存是什麼呢？

它是我們廣為人知的一個普遍稱呼，實際上它有個專業詞語及用途：Dynamic Random Access Memory，DRAM（動態隨機存取存儲器）；

主要用途是作為程序運行的存儲空間(DRAM)和存儲數據的空間(NAND)等。

========================================

60-70年代 DRAM初入江湖

1932年，美國德克薩斯州，在一個名叫特雷爾的小市鎮裡，一個小男孩呱呱落地了，他的名字叫鄧納德。

在他小的時候，生活在一個沒有電力的農場裡、學習在只有一間教室的學校里，每天就如我們小時候一樣，按部就班的上課、放學。

後來在德克薩斯州，鄧納德度過了他的高中時光，正當他打算和他的小朋友們一起在當地的一所大專院校讀書的時候，住在他家不遠處的一位指導顧問——達拉斯，也許是看出了鄧納德的天賦異稟、或是音樂和科學方面的興趣愛好打動了達拉斯，從而建議他從事電氣工程方面的工作。

聽取了建議的鄧納德從此轉向研究電氣工程，並終於在達拉斯南衛理公會大學於1954年和1956年分別獲得了電氣工程學士學位和碩士學位。

鄧納德的職業生涯始於1958年。

在拿到碩士學位後，他於1958年加入國際商業機器公司（IBM），擔任工程師一職，從事存儲器和邏輯電路以及數據通信技術的開發。

隨後參與了由新未來主義建築師 Eero Saarinen 設計的、位於紐約約克敦海茨的 Thomas J. Watson 研究中心的建設。

20世紀60年代初，他開始專注於微電子學。

在他34歲的時候，也就是1966年左右，鄧納德擔任 IBM 電氣工程師的職務；當時的鄧納德一直在幫助公司設計一種使用矽基電晶體的新型計算機存儲器。這種被稱為「微電子學」的方法將與計算機行業內使用磁存儲器存儲數據的傳統技術（一種被稱為核心存儲器的技術）形成了鮮明對比。

這個設計啟發並影響了初代DRAM的研發；

某天晚上，鄧納德正在思考他在當天早些時候看到的一位同事的研究簡報。這份令鄧納德感到一絲嫉妒的簡報是他在 IBM 的競爭團隊提供的，該團隊正在研究尺寸較小的新型磁存儲器。

那時，全世界最大的磁存儲系統需要配備像機房那樣龐大的設備，但卻只能存儲一兆字節的信息。一兆字節的信息相當於一本 500頁的書或 40首流行金曲中的一分鐘。這類存儲系統不僅體積龐大，而且速度很慢，還要消耗大量電能。

此時的內存（大概）處於SIPP過度到SIMM（Single In-line Memory Modules）的時代，工作方式為兩側金手指傳輸相同的信號；由於早期內存疊代速度比現在快許多，無法給大家一個具體時間段和產品型號，非常抱歉。

但是，鄧納德的同事正在構思一項計劃，努力將下一代磁存儲器的尺寸縮小到 25平方厘米。

那天晚上，受到啟發的鄧納德一直在思考他是否能開發出一種既簡單、又物美價廉的存儲器。他打算利用半導體技術—一種在矽基材上蝕刻由細電線、電晶體和其他組件組成的圖案的技術。

當時，IBM 的矽晶片設計師們正在研究利用六個電晶體來存儲一比特數據的複雜電路。他們成功了。但是，這種電路的效率不高，所以，要想構建可存儲大量數據的系統，這似乎並不是一種很有前途的方法。但是，就在 1966年的那天夜裡，鄧納德 靈光乍現：

可以用一個電晶體存儲一比特數據！

而要做到這一點，就需要使用極少量的能量來反覆刷新能夠留住電荷的電容，這樣才能儲存一比特數據。否則，隨著電荷的消散，數據將很快丟失。但是，如果你願意這樣做，你就能讓更簡單、更小、更美觀的電路具備相同的存儲容量。

鄧納德在這種想法的引領之下發明了動態隨機存儲器，簡稱為 DRAM。

他的想法很快就變成現實，於是，具有千比特（1000比特）內存的 DRAM 晶片問世。

在接下來的 55年中，DRAM 不斷發展，最終演化為擁有 8千兆比特（80億比特）容量的存儲介質。

如今，從人們口袋裡的智慧型手機到為全球經濟提供支持的超級計算機等各種設備里都有 8Gb、16Gb甚至32Gb RAM 晶片的身影。

DRAM 存儲器不僅顛覆了早期的磁存儲技術，而且還成為一個行業內的基礎技術，而這個行業改變了整個世界的運行方式—包括我們的工作方式、娛樂方式，甚至戰爭方式。如今，藉助鄧納德的這項發明，普通手機或智慧型手機能夠存儲多個電影、數千張照片和整個音樂庫，所以，全球三分之二的人口每天都把 鄧納德的發明裝在他們的衣服口袋裡。

他對電晶體單元——DRAM的設計改進了當時正在開發的其他類型的計算機存儲器（包括由金屬絲網和磁環組成的存儲系統）；並於1968年，獲得了該設計的專利。

這是鄧納德最終獲得的四十多項專利之一。

1979年，鄧納德被授予IBM fellow（即著名的 IBM院士）的頭銜，之後他在公司50多年的職業生涯中擔任了多個職位。

他就是被公認為「內存之父」的——Robert Heath Denard（羅伯特 海斯 鄧納德）

中央處理晶片製造商 AMD 總裁兼執行長 Lisa Su 在她的職業生涯早期階段曾在 IBM 工作過十多年，她說：「我於 1995 年加入 IBM Watson，成為 鄧納德 的同事，那時，鄧納德 已經是傳奇人物了。他不僅是一位出色的技術專家，而且，他總是樂於指導像我這樣的年輕設備工程師。」

在6、70年代，IBM的鄧納德被公認是DRAM之父，他設計了MOS電容存儲刷新的概念。

1972年，他提出了一個同樣在日後產生了深遠影響的想法，為整個半導體行業指明了發展道路。他為自己提出的「縮放理論」（現稱為「登納德縮放比例定律」）繪製了一個詳細的模型。兩年後，他在一篇論文中具體描述了這個理論。

========================================

1955年，成就了「本世紀最偉大發明」的「電晶體之父」的肖克利（W.Shockley）博士，離開貝爾實驗室返回故鄉聖克拉拉，創建「肖克利半導體實驗室」。

第二年，1957年，八位年輕的科學家從美國東部陸續到達矽谷，加盟肖克利實驗室。

他們是：羅伯特·諾伊斯（N. Noyce）、戈登·摩爾（Gordon Moore）、布蘭克（J.Blank）、克萊爾（E.Kliner）、赫爾尼（J.Hoerni）、拉斯特（J.Last）、羅伯茨（S.Roberts）和格里尼克（V.Grinich）。

他們的年齡都在30歲以下，風華正茂，學有所成，處在創造能力的巔峰。

29歲的諾依斯是八人之中的長者，是「投奔」肖克利最堅定的一位。

可惜，肖克利是天才的科學家，卻缺乏經營能力；他雄心勃勃，但對管理一竅不通。

八位青年瞞著肖克利開始計劃出走。在諾依斯帶領下，他們向肖克利遞交了辭職書。肖克利怒不可遏地罵他們是「八叛逆」（The Traitorous Eight）。青年人面面相覷，但還是義無反顧離開了他們的「伯樂」。

「八叛逆」找到了一家地處美國紐約的攝影器材公司來支持他們創業，這家公司名稱為Fairchild，音譯「費爾柴爾德」，但通常意譯為——「仙童」。

這就是仙童半導體的由來；在當時還叫仙童攝影器材公司

仙童攝影器材公司的前身是謝爾曼·費爾柴爾德（S. Fairchild）1920年創辦的航空攝影公司。由於產品非常暢銷，他在1936年將公司一分為二，其中，生產照相機和電子設備的就是仙童攝影器材公司。

當「八叛逆」向他尋求合作的時候，已經60多歲的費爾柴爾德先生僅僅提供了3600美元的種子基金， 要求他們開發和生產商業半導體器件， 並享有兩年的購買特權。於是，「八叛逆」創辦的企業被正式命名為仙童半導體公司，「仙童」之首自然是諾依斯。

1958年1月， IBM公司給了他們第一張訂單，訂購100個矽電晶體，用於該公司電腦的存儲器。

從1958-1965年，仙童半導體公司取得進一步的發展和成功。但是好景不長，1959年2月，德克薩斯儀器公司（TI）工程師基爾比（J.kilby）申請第一個集成電路發明專利的消息傳來，諾依斯十分震驚。

1967年，仙童半導體公司營業額已接近2億美元；1969年，法院最後的判決下達，也從法律上實際承認了集成電路是一項同時的發明。

然而，也就是在這一時期，仙童公司也開始孕育著危機。母公司總經理不斷把利潤轉移到東海岸，去支持費爾柴爾德攝影器材公司的盈利水平。

目睹母公司的不公平，「八叛逆」中的赫爾尼、羅伯茨和克萊爾首先負氣出走；

桑德斯當時還是仙童半導體公司的銷售部主任，1969年，他帶著7位仙童員工創辦了——高級微型儀器公司（AMD）。

1968年，「八叛逆」中的最後兩位諾依斯和摩爾，也帶著格魯夫（A. Grove）脫離仙童公司自立門戶， 他們創辦的公司就是後來大名鼎鼎的——英特爾（Intel）。

而英特爾與後來的Mostek引領了整個70年代DRAM的設計與生產。

1970年英特爾生產的i1103是劃時代的DRAM，使得每bit存儲降到1美分。

而Mostek這家公司是半導體先驅德州儀器(TI)的工程師創辦的，靠著4kb和16kb DRAM，Mostek到70年代後期市場份額擴至超過8成。

========================================

70-80年代 DRAM蓬勃成長

此時的內存發展屬於初期的末班車，沒有什麼大的進步，更多的是半導體公司的發展與競爭。

時間來到70年代初期，在無數有巨大前途的領域中，Mostek最後選擇集中了公司資源在內存這個血腥行業背水一戰，但在和日韓背靠政府的企業競爭中最終敗下陣來。

Mostek在1985年被廉價賣給法國公司Thomson，後來隨著Thomson和SGS的合併，魂歸ST(意法半導體)。
為什麼說是魂歸呢？因為Mostek肉體已經基本不在了，但是還有大把內存領域的專利。STM居然靠這些專利，通過漫長訴訟內存製造商，賺取了數倍於收購Mostek的利潤。

而後來，內存行業之間的各種訴訟，成為業界一個常態。
Mostek是內存界第一個敗退的巨頭，預示著美國群雄接下來的連續崩潰。

========================================

80-90年代 DRAM百花齊放

內存從80年代門檻並不高，逐漸變成拼製造的行業，日本五巨頭(日立、三菱、東芝、NEC、富士通)和韓國各大公司(三星、現代、LG、大宇)的殺入，使得行業利潤降至冰點。日本的內存廠商還有OKI、松下和日本鋼鐵等。
1983年到1985年遊戲機市場崩盤，市場銷量下降到只有之前的10%不到，是導致內存嚴重過剩的一個重要原因。這個崩盤被稱為Atari Shock，導致了英特爾、國家半導體(NATIonal Semiconductor)等美國廠商退出DRAM領域。
Mostek和英特爾的退出給了其它競爭對手的喘息機會，85年後PC和任天堂紅白機的熱銷，也使得大家的日子好了起來。

到了1988-1990年的時候，PC技術迎來了另一個發展高峰，386和486時代的到來，此時的CPU已經發展到16bit，所以30pin SIMM內存再也無法滿足需求，因其降低的內存帶寬已經成為了急需解決的瓶頸，而此時72pin SIMM內存出現了，它支持32bit快速頁模式內存，帶寬得到大幅度提升，而72pin SIMM內存單條容量一般為512KB-2MB左右，而且僅要求兩條同時使用，並且無法兼容30pin SIMM內存，後者被時代毅然淘汰出局了。

========================================

90-千禧年代 Rambus RDAM生不逢時

此時的內存來到了奔騰 4及Windows 95的時代

90年代初不少廠商為減少研發投入形成了內存技術聯盟，比NEC和AT&T、索尼和AMD、三菱和TI以及Motorola、OKI和SGS-Thomson。從結果看，三心二意想靠別人研發技術的公司，最後都歇菜得比較早。

在1991-1995年的時代，此時的內存發展遇到了瓶頸期，幾乎陷入停滯不前的窘境，而此時的內存屬於EDO DRAM，它有72pin及168pin，在成本和容量上有了突破，憑藉製作工藝的飛速發展，單條EDO內存容量已經達到了4-16MB的範圍，而此時英特爾 奔騰系列CPU對於數據總線寬度達到了64bit甚至更高，所以EDO和FPM DRAM必須成對使用。

在選擇SDR SDRAM的繼任者的時候Intel選擇了與Rambus合作並推出了Rambus DRAM內存，通常都會被簡稱為R-DRAM，它與SDRAM不同，採用了新的高速簡單內存架構，基於RISC理論，這樣可以減少數據複雜性提高整個系統的性能。

R-DRAM採用RIMM插槽，184pin，總線位寬16bit，插兩條組建雙通道時就是32bit，工作電壓2.5V，當時的頻率有600、700、800、1066MHz等。

這款內存通常都是用在Socket 423的奔騰4平台上，搭配Intel 850晶片組使用，然而頻率高效率低的奔騰4在AMD K7+DDR內存組合中敗下陣來，再加上R-DRAM的製造成本高，很多內存廠都沒有興趣，這直接導致R-DRAM的零售價居高不下。

奔騰4平台的成本居高不下，導致消費者也不買單，最終導致R-DRAM完敗於DDR SDRAM，最終Intel拋棄R-DRAM投奔到DDR陣營。

在1Gb晶片的研發上，90年代末形成了三大技術陣營：
1. 韓國陣營；
2. 日立、三菱和TI；
3. IBM、Motorola、英飛凌和東芝。
最後一個陣營里東芝首先撤出，然後是Motorola和IBM，這導致了後來英飛凌在溝槽式電容技術上孤軍奮戰和最終功敗垂成。
1997年的亞洲金融危機中，韓國企業由於負債率過高和外匯儲備不足，歐美債務收緊導致韓元在年底數周內暴跌60%，這卻意外極大增強了韓國企業的出口競爭力。
1998年韓企在DRAM份額超過日本企業。
為了應對空前的危機，韓國政府向國際貨幣基金組織求救，並要求企業大裁員和抱團取暖，比如命令大宇汽車收購三星汽車，三星電子收購大宇電子，現代電子合併LG半導體。
應該說韓國這次重整旗鼓非常成功，畢竟韓國國土小人口少，產業面面俱到的話競爭力肯定不行。此後，韓國在重點扶植的高科技、家電、汽車、造船、石化和文娛等領域大放異彩。

1999年NEC和日立合併DRAM事業的背景是，NEC份額已經跌到11%和第四名，日立跌到7%和第8名。雙方都認識到這樣的份額無法單獨生存，尤其Micron收購TI DRAM以後終止了和NEC的技術合作。

========================================

【後面內存的發展基本就是基於頻率、接口規範及工藝製程的變化，而基本沒有什麼跨時代的技術革新，所以內容基本比較乏味；各位看官到這裡基本可以休息一下了，等下次看也可以】

========================================

2000-2004年 DDR1橫空出世

時間終於來到了2000年千禧年，DDR內存出現了，它的正式名字是DDR SDRAM（Dual Date Rate SDRAM），顧名思義就是雙倍速率SDRAM，從名字上就知道它是SDR SDRAM的升級版。

DDR可說是SDRAM的升級版本。DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。

由於僅多採用了下降緣信號，不會造成能耗增加。至於定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。

DDR內存作為一種性能與成本間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內存帶寬上的不足。

第一代DDR200 規範沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鐘×2倍數據傳輸=266MHz帶寬）是由PC133SDRAM內存所衍生出的。它將DDR 內存帶向第一個高潮。

2017年還有不少賽揚和AMD K7處理器都在採用DDR266規格的內存，其後來的DDR333內存也屬於一種過渡。而DDR400內存成為目前的主流平台選配，雙通道DDR400內存已經成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨後的DDR533 規範則成為超頻用戶的選擇對象。

DDR SDRAM採用184pin的DIMM插槽，防呆缺口從SDR SDRAM時的兩個變成一個，常見工作電壓2.5V，初代DDR內存的頻率是200MHz，隨後慢慢的誕生了DDR-266、DDR-333和那個時代主流的DDR-400，至於那些運行在500MHz、600MHz、700MHz的都算是超頻條了，DDR內存剛出來的時候只有單通道，後來出現了支持雙通晶片組，讓內存的帶寬直接翻倍，兩根DDR-400內存組成雙通道的話基本上可以滿足FSB 800MHz的奔騰4處理器，容量則是從128MB到1GB。

2000年的時候，全球內存廠商的數量仍超過20家，而到00年代末期只剩下不到10家。經過1999年的大整合，到2001年塵埃落定時的排名是這樣的：三星，美光，海力士和英飛凌，四家握有近8成的市場份額。

DDR內存在對RDRAM的戰爭中取得了完全勝利，所以相當多的主板廠家都選擇推出支持DDR內存的晶片組，當時的主板市場可是相當的熱鬧，並不只有Intel與AMD兩個在單挑。

還有NVIDIA、VIA、SiS、ALI、ATI等廠家，所以能用DDR內存的CPU也相當的多，Socket 370的奔騰3與賽揚，Socket 478與LGA 775的奔騰4、奔騰D、賽揚4、賽揚D，只要你想酷睿2其實也可以插到部分865主板上用DDR內存，AMD的話Socket A接口的K7與Socket 939、Socket 754的K8架構產品都是可以用DDR內存的。

========================================

2004-2007年 DDR2快速上位

在DDR內存戰勝了RDRAM之後就開啟了DDR王朝，就如大家所知道的，後續的都是DDR的衍生產品。DDR2引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和PostCAS。

DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍以上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。

換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。

由於DDR2標準規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於廣泛應用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。

回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；

隨著Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。

這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 400和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。

DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。

DDR內存通常採用TSOP晶片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。

DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的

========================================

2007-20014 DDR3蒸蒸日上

DDR3內存隨著Intel在2007年發布3系列晶片組一同到來的，至於AMD支持DDR3內存已經是2009年2月的AM3平台發布的時候 ，直到現在他依然還是市場的主流。

DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。

DDR3最高能夠達到2000Mhz的速度，儘管最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz / 1066Mhz的速度，但是DDR3內存模組仍會從1066Mhz起跳。

DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計：

1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。

2．採用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。

3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。部分廠商已經推出1.35V的低壓版DDR3內存。

然而直到2008年11月推出x58平台徹底拋棄DDR2的時候DDR3其實還不算是市場主流，在LGA 775平台上消費者大多數依然會選擇DDR2。

歸咎原因主要還算初期DDR3的頻率偏低只有1066MHz，而那時候高端DDR2也是能達到這個頻率的，而且同頻下DDR2的性能更好， 價格更低。

所以剛上市那兩年DDR3其實不怎麼受歡迎，直到後來DDR3的價格降下來，頻率提到DDR2觸碰不到1333MHz時才開始普及，這種現象其實在每次內存更新換代的時候都會有。

========================================

2014-2017 DDR4勇往直前

DDR4在2014年登場的時候並沒有重走DDR3發布的舊路，首款支持DDR4內存的是Intel旗艦級的x99平台，DDR4初登場的時候其實與高頻DDR3沒啥性能與價格上的優勢，然而x99只支持DDR4內存，想用旗艦平台你也只能硬啃貴价內存，當然那些選擇旗艦平台的玩家不會介意這些。

DDR4內存真正走向大眾其實已經是2015年8月Intel發布Skylake處理器與100系列主板之後的事情了。

DDR4內存的針腳從DDR3的240個提高到了284個，防呆缺口也與DDR3的位置不同，還有一點改變就是DDR4的金手指是中間高兩側低有輕微的曲線，而之前的內存金手指都是平直的，DDR4既在保持與DIMM插槽有足夠的信號接觸面積，也能在移除內存的時候比DDR3更加輕鬆。

DDR4內存的標準電壓是1.2V，頻率從2133MHz起步，目前最高是4200MHz，單條容量有4GB、8GB和16GB，目前已經很大程度的取代了DDR3，新的主板已經很少會提供DDR3內存插槽了，徹底進入到DDR4的時代只是時間的問題。

========================================

2017-至今 DDR5 新的戰場

2017年6月，負責計算機內存技術標準的組織JEDEC宣稱，下一代內存標準DDR5將亮相，並預計在2018年完成最終的標準制定。

2017年9月22日，Rambus宣布在實驗室中實現完整功能的DDR5 DIMM晶片，預期將在2019年開始量產。

2018年10月，Cadence和美光公布了自己的DDR5內存研發進度，兩家廠商已經開始研發16GB DDR5產品，並計劃在2019年年底之前實現量產目標 。

2020年7月，JEDEC協會正式公布了DDR5標準，起步4800MHz，未來可以達到6400MHz。

2020年10月，韓國存儲巨頭SK海力士宣布，正式發布全球第一款DDR5內存。

2021年1月，嘉合勁威率先布局DDR5內存模組。

2021年2月，阿斯加特發布首款DDR5。

2021年4月26日，嘉合勁威首批DDR5內存條批量生產下線。

2021年12月，SK海力士宣布提供業界內 DRAM 單一晶片容量最大的 24Gb DDR5 樣品。

========================================

跟大家聊完了DRAM到DDR5的發展，其中的競爭之激烈是不為我們所能想像的，到現在最流行的如芝奇、三星、SK海力士、鎂光、金士頓、國產如長城、嘉合勁威等品牌也在逆流而上，未來相信會有速度更快、（單挑）容量更大的內存出現，讓我們拭目以待吧。

你現在用的是DDR4還是DDR5呢？甚至於·······DDR3？