快閃記憶體進入立體堆疊時代之後，在存儲大廠推動下，快閃記憶體堆疊層數越來越高，目前已經突破200層大關。不過，大廠對於層數的追求永不止步，根據韓媒The Elec報導，三星存儲業務高管近日對外表示，2030年V-NAND可以疊加到1000多層。快閃記憶體市場層數堆疊競爭愈演愈烈，未來存儲產品容量有望持續提升。
快閃記憶體層數之爭愈演愈烈，2030年劍指1000層以上
隨著AI、大數據等技術發展，催生大容量存儲產品（如SSD）的需求，與傳統平面架構2D NAND Flash相比，3D NAND Flash、4D NAND Flash可提供更大存儲空間滿足了業界日益增長的存儲需求，因而逐漸受到大廠重視。
目前3D/4D NAND Flash已經突破200層，三星第8代V-NAND層數達到了236層；美光232層NAND Flash已經量產出貨；今年3月鎧俠和西部數據共同宣布推出218層3D NAND快閃記憶體，已開始為部分客戶提供樣品；SK海力士2022年8月成功開發出世界最高238層4D NAND快閃記憶體，今年6月該公司宣布已開始量產238層4D NAND快閃記憶體，並正在與生產智慧型手機的海外客戶公司進行產品驗證。
未來存儲廠商將持續發力更高層數NAND Flash，美光232層之後，計劃推出2YY、3XX與4XX等更高層數產品；鎧俠與西數也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術；三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層），2030年前實現1000層NAND Flash。
不過，要想實現1000層以上NAND Flash並非易事，三星存儲業務高管透露，就像建設摩天大樓一樣，需要考慮坍塌、彎曲、斷裂等諸多穩定性問題，此外還需要克服連接孔加工工藝、最小化電池干擾、縮短層高以及擴大每層存儲容量等挑戰。
兩大擴容方式，未來十年單顆SSD容量可達1PB？
在2D NAND平面時代，廠商主要依靠工藝進行擴容。為了提升快閃記憶體產品容量，廠商會引入先進的製程工藝，如從50nm製程提升至30nm製程，在相同尺寸面積下，可實現更大容量。
不過，再先進的製程工藝在單位面積下的存儲密度也是存在極限的，而且隨著製程提升，存儲密度增加，相鄰存儲單元格電荷干擾問題也就越嚴重，進而導致數據處理錯誤率提升以及使用壽命減少等問題。
為了突破這些瓶頸，快閃記憶體從平面走向立體，堆疊層數越來越高，快閃記憶體晶片容量與性能也不斷提升。
除了堆疊技術之外，另一大擴容的有效手段是改變快閃記憶體晶片結構，從SLC、MLC、TLC、QLC到PLC，五種快閃記憶體顆粒每單元可存儲的信息層層遞進，容量逐步提升，不過性能、可靠性、壽命並未隨之優化，需要藉助一些技術手段以彌補修復。
在快閃記憶體堆疊與架構創新技術推動下，以SSD為代表的快閃記憶體產品容量不斷攀升。目前，消費級SSD常見容量包括256GB、512GB、1TB、2TB、4TB等，企業級SSD容量更大一些，可達16TB、32TB、64TB、甚至128TB以上。
今年3月三星電子對外表示，預計在未來十年單顆SSD的容量可達1PB（1024TB）。業界認為，QLC/PLC快閃記憶體架構與1000層堆疊技術有望助力SSD不斷邁向PB級未來。