根據彭博社報導，拜登政府已向美國企業簡報最新晶片限制措施，預計下月正式啟動。
美國三大半導體供應商應用材料、科磊、泛林集團將會率先響應這一政策，受限設備將擴大至2倍。如果荷蘭ASML、日本東京電子也參與其中，那麼受限設備將會更多。
目前，這五家公司主導了全球半導體設備，如果不能拿到這些公司的設備，就無法製造出先進晶片，包括16/14nm及以下邏輯晶片，128層及以上NAND快閃記憶體晶片、18nm及以下存儲晶片。
什麼概念呢？也就是說華為麒麟晶片、5G基站晶片、龍芯3A系列、長江存儲晶片等都將無法生產，這絕對是極限打壓。
如此看來，國產晶片將面臨著更難的境地，但實際上，率先頭疼的卻是美國的應用材料、科磊等半導體設備廠商，我國晶片企業反而表現平淡，這又是什麼情況呢？
根據多方面的數據及研究報告，在這次中美晶片之爭中，中國或許已經取得了成熟晶片領域的階段性勝利。
那麼接下來，我們就一起看一看，國產晶片究竟取得了哪些傲人的成績。
我國是第三大光刻機製造國
光刻機是晶片製造的核心設備，它採用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印製到矽片上。
提起光刻機，我們都想到了荷蘭ASML，甚至很多網友認為只有這家公司能夠製造光刻機，但實際上，日本尼康、我國的上海微電子都可以製造。
光刻機根據精度分為G線、I線、KrF、ArF、ArFi、EUV六代光刻機，我國處於什麼級別呢？與頂級的EUV光刻機差距有多大呢？
第一二代光刻機為接觸式光刻機，光源為紫外線，不同的是G線光刻機光源波長為436nm，I線光刻機波長為365nm，可以製造350nm以上晶片。
第三代光刻機為投影式光刻機，利用光學透鏡將深紫外光匯聚，折射到晶圓上，從而實現投影式光刻，同時深紫外光線波長也進一步降低到248nm，可以製造130nm以上晶片。
第四代光刻機同樣採用投影技術，將光源波長進一步升級，達到了193nm，通過多次曝光，可以製造65nm晶片。
第五代光刻機，採用了一種新技術—「浸潤式」。當深紫外光線進入「純水」中，發生折射，可以等效的製造出134nm波長的光線，從而實現14nm、甚至7nm工藝。
第六代光刻機為EUV光刻機，可以說是大跨步升級，採用了13.5nm的極紫外光，可以製造出7nm以下工藝晶片，目前只有荷蘭ASML能夠製造。
我國光刻機製造企業代表為上海微電子，能夠製造90nm精度的光刻機，這套光刻系統能夠製造出65nm晶片，但是良品率比不上ASML。
也就是說，國產光刻機目前仍是第四代的水平，這與國際領先的第六代差距還是很大的。但即便如此，我國仍然是世界前三的光刻機製造大國，而且我國的光刻機自主性更高。
荷蘭是最大的光刻機製造國，典型代表為ASML。
ASML雖然能夠製造頂級的EUV光刻機，但其只掌握了10%的核心技術，光學透鏡離不開德國蔡司、雷射發射器離不開德國通快。
根據ASML公布的相關數據，EUV光刻機售價1.2億美元，有10萬個零部件、4000個軸承、3000條線纜、2公里管道，所有零部件由全球2000家供應商共同提供。
ASML將這些組合起來，最終實現了EUV光刻機。
第二大光刻機製造國是日本，其擁有尼康、佳能兩大製造商。
上世紀90年代，光刻機市場的老大是日本，當時僅尼康市場份額就達到了50%，再加上佳能，其實力可想而知。
1999年的尼康共出售了6000台光刻機，包括解析度436nm、365nm、250nm、193nm四個型號。這在全球任何一個時期都是高產。
有網友問了，那ASML當時在幹嘛？當時的ASML也在做光刻機，但技術、營收與尼康差距巨大。
但隨後，在157nm光刻機方面，ASML與台積電合作率先推出了浸潤式DUV光刻機，一舉逆襲了尼康，之後在美國、歐洲的幫助下研發了EUV光刻機，成為了光刻機龍頭。
但尼康畢竟是昔日龍頭，之後也研發出了浸潤式DUV光刻機，成為了僅次於ASML的廠家。
我國是第三大光刻機國家
在光刻機製造上，我國取得了長足的進步。目前上海微電子研發的90nm光刻機，可以製造出65nm工藝的晶片，只是在良品率上不夠理想。
儘管表面看起來，我國的光刻機在精確度、良品率方面比不上荷蘭、日本，但是在自主度上卻是最高的，這一點難能可貴。
這主要「得益」於《瓦森納協定》和美國的晶片禁令。
《瓦森納協定》的目的就是監督和控制常規武器、高新技術、設備及零部件。高端光刻機就在協定內。
協定的成員國包括美、日、英、法德國40個國家，當然中國不在其中，成員國之間可以互通信息，但對非成員國來說就是「打壓、限制」。
美國的晶片禁令則是直接針對中國企業，華為因此失去了台積電代工的資格，中芯國際買不到先進的光刻機，上海微電子買不到零部件。
因此，國產光刻機唯有自主研發一條路可走。
上海微電子的光刻機就是集中了中科院、清華大學、哈工大、卓精科技等多家研究機構、高校和企業的相關技術，做到了光源、曝光系統、工作檯、光學透鏡等關鍵設備、技術的國產化。
同時，國產光刻機技術還在不斷的提升、更新，28nm光刻機已經提上日程，相信很快就能量產。
成熟晶片國產產業鏈打造完畢
晶片經歷設計、製造、封裝、測試等多個環節，又涉及EDA工具、設備、架構、材料等多個領域，可以想像其難度。
但是有一個好消息，那就是國產晶片全產業鏈已經打造完畢，當然只是在成熟工藝中。
架構方面：
目前，晶片架構基本被ARM、英特爾、AMD所把控，全球90%以上的移動嵌入式晶片都採用了ARM的架構，智慧型手機更是超過95%的市場份額被ARM把控。
桌面、伺服器被英特爾和AMD壟斷，二者合計掌握了超過90%的市場份額。
國產晶片雖然眾多，麒麟、鯤鵬、兆芯、海光等大都採用了ARM、X86架構，只有龍芯採用了自主研發的LoongArch架構，並且經過第三方專業機構的認證。
1、LoongArch的指令系統、指令編碼、指令格式、尋址模式是自主設計；
2、LoongArch的指令手冊、指令說明、內容表達上與國際主要指令區別明顯；
3、LoongArch未對國際主要指令系統構成侵權風險。
這三點足以證明龍芯是真正的國產晶片架構，未來將會下大力氣打造自主的LoongArch生態。
EDA工具
EDA即電子設計自動化，是晶片行業之母，它對整個晶片行業具有極強的戰略意義。
目前EDA基本被「三巨頭」（新思科技、楷登電子、西門子EDA）所把控，這三家企業拿到了全球80%的份額，國內市場也被其壟斷。
不過近日國產EDA工具傳來好消息，概倫電子的核心關鍵產品均具備國際市場競爭力，能夠支持7nm、5nm、3nm等先進工藝節點和FinFET，構建了較高的行業壁壘。
華大九天作為國內規模最大、產品線最完整、綜合實力最強的EDA工具廠商，也實現了部分5nm數字工具，並且已經商業化。
可以說，在EDA工具上，國產企業已經足夠滿足國產晶片的需求，甚至在不久的將來可以和國際三巨頭競爭。
製造端
晶片製造的典型代表為中芯國際，目前已經實現了14nm及12nm工藝的量產，當然光刻機採用的荷蘭ASML的，但至少證明了其擁有足夠的製造技術。
為了擴大在成熟工藝上的優勢，中芯國際加大了投資力度，先後斥巨資在北京、深圳、上海、天津等地建造晶圓廠。
這些晶圓廠建成後，中芯國際的產能將實現翻倍，不僅可以滿足國內客戶的需求，還可以將部分產能提供給海外客戶。
目前，中芯國際支持軍工、工業、Wifi、通信和絕大部分汽車使用的晶片，可以滿足國內80%以上的晶片需求。
智慧型手機、部分PC等先進工藝仍無法滿足，究其原因主要是缺少核心設備EUV光刻機。
封裝及材料方面：
在晶片的封裝領域，我國還是很有實力的，長期處於世界領先地位。
2022年11月21日，長電科技表示：公司已經實現4nm工藝製程的手機晶片封裝，在晶片和封裝設計方面和客戶展開合作，可幫助客戶將2.5D和3D等各類先進封裝集成到智慧型手機和平板電腦。
這個成績排在了全球第三位，僅次於日月光和安靠，是非常值得肯定的。
可能很多人認為封裝意義不大，其實並非如此。先進的封裝技術可以使晶片更加輕薄、更有利於散熱，先進的封裝還能助推Chiplet技術的快速發展。
半導體材料方面長期被日本企業壟斷，19種關鍵材料，有14種是日本製造的，這14種材料的出貨量達到了50%以上。
晶圓、光刻膠、掩膜版、特殊氣體這四大類核心材料，日企的市場占有率同樣超過了50%。
最近幾年，國產半導體材料快速發展。滬矽產業、立昂微電子、超矽半導體等企業在晶圓領域快速發力，產能和技術不斷提升。
光刻膠方面，南大光電具備ArF（干法、浸沒式）光刻膠，北京科華、徐州博康已經量產KrF光刻膠，可以滿足國內晶片製造使用。
同時，多家企業表示開展7nm光刻膠的研發，可見國產替代一直在路上。
至於晶片設計，可以說是我們的強項，華為海思、阿里平頭哥、紫光集團、中興等都具備設計高端晶片的能力，設計軍工晶片、工業晶片更是不在話下。
總的來說，在成熟領域，我國晶片完全具備架構、設計、製造、軟體、設備全產業鏈的能力，即便是遇到打壓限制也不會影響到軍事、工業等領域，受影響最大的依然是個人手機、PC等業務。
寫到最後
無論是《瓦森納協定》、《晶片科學法案》還是新的晶片禁令，對我國的晶片產業來說影響不會很大，因為我國決心要走國產替代的道路。
美國打壓限制的越多越狠，恰好證明前期的打壓沒有效果，只能加大力度。但是令其頭疼的是，我國晶片在打壓限制中，自利率依然從5%增長到了17%.
最近，矽谷大裁員，說明美國科技公司的日子不好過，只要我們堅持自主研發，減少採購進口產品，未來在晶片領域誰說了算還真不好說。
所以，只要國產晶片前進一步，美國晶片就會後退一步，不斷的前進遲早能夠逆襲超越。這就是我國穩坐釣魚台的真正原因。
我是科技銘程，歡迎共同討論！