換了代工廠,晶片發熱就降低了?三款高通旗艦晶片手機遊戲實測

漂浮的瓦片 發佈 2024-03-13T19:21:45.528443+00:00

手機晶片行業,高通一家獨大,雖然聯發科近兩年推出了幾款風評不錯的晶片,但整體上還無法和高通媲美。可能也正是因為競爭壓力過小,沒有什麼緊迫感,高通前幾款旗艦晶片全部表現不佳,極難壓制的溫度讓驍龍一度變身為火龍,直到驍龍8+gen1的出現。

手機晶片行業,高通一家獨大,雖然聯發科近兩年推出了幾款風評不錯的晶片,但整體上還無法和高通媲美。

可能也正是因為競爭壓力過小,沒有什麼緊迫感,高通前幾款旗艦晶片全部表現不佳,極難壓制的溫度讓驍龍一度變身為火龍,直到驍龍8+gen1的出現。

在固有印象中,晶片的水準大多和產品設計、工藝製程等因素有關,但8+gen1的代工廠從三星換成台積電後,發熱一下子就降下來了,似乎證明了晶片水準和代工廠多多少少也有些關係。筆者先來無事,用手中的三款高通旗艦晶片手機做了對比個測試,遊戲表現截然不同,一起來看看這兩三年高通出品的神仙鬼怪吧。

1.一加Ace 2(驍龍8+gen1)

一加Ace 2是2月份剛剛發布的新品手機,搭載了高通 驍龍8+ Gen1晶片、LPDDR5X和UFS3.1,雖然沒上最新的8gen2,但基本上也算是安卓的頂配,第一代滿血版8+性能還有所提升。

驍龍8+gen1是22年的旗艦晶片,採用了台積電4nm製程工藝,CPU架構為1個Cortex-X2超大核(3.2GHz)+3個A710大核(2.75G)+4個A510小核(2.0G)。GPU型號Adrano730。

Ace 2在散熱方面採用了VC+高性能石墨+相變石墨烯的組合,散熱面積超大,其中八通道全貫穿VC散熱面積5177平方毫米,石墨烯散熱面積6355平方毫米。

測試遊戲為王者榮耀,遊戲配置如下,畫質高清,其餘都是最高,抗鋸齒開啟,未戴保護殼。

遊戲體驗不錯,雖然是曲面屏,但完全沒有誤觸現象,操作絲滑順暢,遊戲模式下360Hz的觸控採樣率足夠用了。性能方面沒得說,極度流暢,毫無卡頓,加上HyperBoost2.0的穩幀技術,幀數也比較穩定,大約在117到120幀左右。網絡也沒什麼問題,ping值30左右。

室溫22度,在遊戲一小時後,紅外測溫儀測得溫度為37.4度,體感溫度比溫手略高,Ace 2的溫度控制十分出色,即便是戴著保護殼,手機溫度也不是很燙,幀數也能保持穩定。玩遊戲的話,驍龍8+gen1的手機是完全沒有問題的。

2.ROG 5(驍龍888)

兩年前的遊戲手機,當年售價大約5000元,核心配置為驍龍888+LPDDR5內存+UFS3.1,散熱為3D真空腔+雙大型石墨烯。

驍龍888採用三星5nm製程工藝,CPU 架構 1 x Cortex X1(2.84GHz)+3 x Cortex A78(2.4GHz)+4 x Cortex A55(1.8GHz),GPU 為 Adreno 660。

在同樣配置下,王者榮耀1小時,紅外測溫儀測得數值為38.7攝氏度,溫度不算低,但手感也不算燙手。整個遊戲過程遊戲十分流暢,無卡頓,幀數同樣在117/118到120的樣子,很穩定。

驍龍888可以說是火龍之始了,之前的高通晶片發熱還沒這麼高,很多人當時對驍龍888畏之如虎,其實大可不必,筆者的ROG 5在夏天最熱的時候也基本上可以120幀運行王者榮耀兩三個小時,只是比較燙而已,溫度確實很高。

這也正是遊戲手機存在的理由吧,同樣配置下,比普通手機能夠更流暢的運行遊戲。

3.一加10 pro(驍龍8gen1)

一年多的手機。核心配置為驍龍8+gen1+LPDDR5+UFS3.1。散熱面積34119平方毫米。

驍龍8gen1採用三星4nm工藝,CPU採用Kryo 780架構,1個Cortex-X2超大核(3.0GHz)+3個Cortex-A710大核(2.5GHz)+4個Cortex-A510小核(1.79GHz),GPU為Adrano730。

同樣配置下,王者榮耀1小時,紅外測溫儀測得數值為39.4度,比ROG5高了0.7度,比較熱一點,遊戲幀數在110左右,遊戲足夠流暢,沒有卡頓。

一加10 pro一直是我的主力手機,拍照效果還是比較出色的,畫質純淨通透,寬容度、色彩都調教得不錯,系統也足夠流暢,手感、信號等也都沒有問題,日常使用還是比較舒服的。

如果不是重度遊戲玩家,用8gen1也是沒什麼問題的,流暢度不需擔心,日常應用比溫手略熱。如果一天玩六七個小時候遊戲的話,還是入手8+gen1和8gen2的手機更好一些。例如筆者手中的一加Ace 2或是真我Neo5,性價比都很高。

驍龍888的CPU大核功耗3.16W,GPU滿載功耗8.34W,從888開始,高通驍龍有了火龍的稱呼。驍龍8gen1,相較於驍龍888,CPU性能提升20%,能效提升 30%,GPU性能提升幅度更大。不過散熱方面,依舊沒什麼長進,雖然號稱功耗降低,但實測8gen1的功耗要比888還大,發熱很難壓制。

而驍龍8+gen1和上一代8gen1相比,CPU、GPU性能提升10%,整體功耗下降15%。遊戲實測中溫度差別明顯。

雖然8gen1和8+gen1都是4nm製程,但三星的4nm工藝顯然不夠成熟,無法解決發熱問題。在把代工廠換成高通之後,似乎一下子打通了任督二脈,同是4nm製程,晶片發熱明顯降低,遊戲玩家有了更多的選擇,Switch模擬器也能在手機上輕鬆運行,也許代工廠真的可以決定晶片的下限。

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