三星和SK海力士是存儲器領域的領導者，位列行業前兩名，傳聞兩家巨頭都在加快3D DRAM商業化進程，以改變存儲器行業的遊戲規則。其實DRAM行業里排名第三的美光，自2019年以來就開始了3D DRAM的研究，獲得的專利數量是三星和SK海力士的兩到三倍。
據Business Korea報導，有行業人士透露，三星和SK海力士的高管在最近的一些官方活動上，都將3D DRAM作為克服DRAM物理極限的一種方式。三星表示，3D DRAM是半導體行業未來的增長動力。SK海力士則認為，大概在明年，關於3D DRAM的電氣特性細節將被公開，從而決定其發展方向。
3D DRAM是一種具有全新結構的存儲晶片，打破了原有的模式。目前DRAM產品開發的重點是通過減小電路線寬來提高密度，但隨著線寬進入10nm範圍，電容器漏電和干擾等物理限制明顯增加，為此業界通過引入high-k材料和極紫外（EUV）設備等新材料和新設備。不過對於各個DRAM製造商而言，想要製造10nm或更先進的小型晶片仍然是一個巨大的挑戰。
與當前的DRAM市場不同，3D DRAM領域暫時沒有絕對的領導者。美光在3D DRAM技術競爭中起步較早，且專利數更多，三星和SK海力士可能會加快3D DRAM商業化進程，儘快地進入大規模生產階段，以便更早地搶占市場。
目前三星和SK海力士能量產的最尖端DRAM採用的大概為12nm的工藝，考慮到越來越接近10nm，在未來的三到四年內，全新結構的DRAM晶片商業化幾乎是一種必然，而不是選擇。