快收藏!電子元器件符號大全(二)

億佰特物聯網應用 發佈 2024-04-28T20:12:22.101638+00:00

電子電路中常用的器件包括:電阻器、電容器、電感器、變壓器、二極體、三極體、晶閘管、光電器件、電聲器件等。在之前的文章中,我們介紹了電阻器、電容器、電感器和變壓器的常見電路符號及相應的實物圖,今天就來了解一下二極體、三極體、晶閘管等的類型和符號。

電子電路中常用的器件包括:電阻器、電容器、電感器、變壓器、二極體、三極體、晶閘管、光電器件、電聲器件等。

在之前的文章中,我們介紹了電阻器、電容器、電感器和變壓器的常見電路符號及相應的實物圖,今天就來了解一下二極體、三極體、晶閘管等的類型和符號。

前文指路:電子元器件符號大全,快收藏!(附實物圖)

二極體:又稱半導體二極體,是半導體電晶體類器件中最常用也是最基本的器件。二極體最大的特性就是單向導電,根據二極體的不同用途,可分為普通二極體、發光二極體、肖特基二極體、穩壓二極體等。

開關二極體:開關二極體的正向偏置導通電阻很低,施加反向偏置時關斷電阻很大。利用二極體的單向導電特性,電流可以實現開關。

穩壓二極體:利用PN結反向擊穿時電壓基本不隨電流變化而變化的特點,達到調壓的目的。

發光二極體:可以直接將電能轉換為光能。具備耗電低、壽命長、體積小、驅動電壓低、工作電流小等優點,多用於信號顯示等電路中。

光電二極體:光控制元件,外殼裝有玻璃窗,便於接收光。

變容二極體:利用反向偏壓改變PN結的電容,PN結兩端的電容隨反向電壓的大小而變化,相當於可變電容器。

肖特基二極體:其特點是低功耗、大電流、超高速、反向恢復快。因此肖特基二極體常用於高頻、大電流、低壓整流電路中。

快恢復二極體:一種新型半導體二極體,具有良好的開關特性和較短的反向恢復時間,通常用作高頻開關電源的整流二極體。

瞬態電壓抑制器(TVS):一種常用的電路保護裝置,具有響應時間快、浪涌吸收能力強的特點,主要用於瞬態電壓抑制。

三極體:是半導體基本元器件之一,具有電流放大的作用,是電子電路的核心元件。狹義上的三極體指雙極型三極體,也是最基本最通用的三極體。廣義上的三極體有很多種,包括雙極型三極體、達林頓管、晶閘管等。


晶閘管(可控矽):一種大功率電器元件,也稱可控矽(Silicon Controlled Rectifier,SCR),具有體積小、效率高、壽命長的特點。晶閘管作為一種功率開關器件,常替代繼電器用於大功率電路控制中。普通的晶閘管與三極體的外形十分相似。晶閘管有三個極,分別是A極(陽極)、K極(陰極)、控制極(G極),常見的有單向晶閘管和雙向晶閘管。

單向晶閘管:同二極體一樣,電流只能從A極流到K極。

雙向晶閘管:不分A極和K極,只區分G極,電流方向是雙向的。

場效應電晶體與IGBT:場效應電晶體(Field Effect Transistor),是電晶體的一種。MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似,通常可作為開關元件使用。

MOS管即MOSFET,又叫絕緣柵場效應管。優點是高頻特性好。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由晶體三極體和MOS管組成的複合型半導體器件。導通電阻小,耐壓高。

今天的文章就分享到這裡啦。大家還想了解哪些電子元件的符號和實物圖,可以在下方評論,下次再整理出來哦。

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