眾所周知，從去年10月份開始，美國對中國的晶片產業就進行了一輪新的打壓，並且是全面的打壓。
按照當時的禁令，對18納米以下DRAM內存的生產設備，128層以上NAND快閃記憶體生產設備，以及14納米以下邏輯晶片的生產設備全部禁售。
很明顯，美國的目的就是要鎖死這些先進晶片的生產，讓中國只能生產落後的晶片，然後先進的晶片靠進口，這樣美國不僅可以獲得經濟上的利益，還能夠繼續卡住我們的脖子。
不過當時，考慮到一些國外廠商在中國也設有晶圓廠，並且是涉及到先進工藝的，比如韓國三星、SK海力士在國內的DRAM、NAND廠。
比如三星在西安設有生產兩座NAND工廠生產128/176層存儲晶片。SK海力士在無錫擁有兩座DRAM晶圓廠，生產14nm工藝的。
所以美國對韓企進行了豁免一年，即三星、SK海力士的工廠，暫時不受限，可以採購到先進的設備，用來生產18nm以下DRAM、128層以上NAND。
但是這個豁免可能也要收緊了，美國商務部副部長Alan Estevez 2月23日在華府智庫戰略與國際研究中心(CSIS) 主辦的論壇中表示：「美方可能對韓企在中國的成長程度設限，那些公司會被要求停留於目前所處的堆疊層數，或其技術範圍內某水平。」
什麼意思？意思就是接下來美國會出手，韓企也會受限，不准這些韓企再採購先進設備了，也不准這些韓企的晶片製造工藝前進了。
更確切一點的來講，就是美國計劃全面鎖死中國18nm以下DRAM、128層以上NAND晶片製造，不管是國外企業，還是中國本土企業，都鎖住。
這會導致什麼後果？一是中國大陸境內，基本上就接觸不到先進工藝的設備，徹底與這些設備無緣了，這個影響有多大，大家懂的。
其次，這些韓企後續為了發展，可能不得不外遷，遷到一些不受限的國家和地區去，這對中國製造也會形成大的衝擊，因為這些外企一遷，又會影響到上、下游的供應鏈……
可見，我們不能抱有任何幻想，只有自研、突破，讓對方沒有脖子可卡才行。