去年年底，國產DRAM內存廠商長鑫存儲就宣布其8Gb DDR4內存已經量產。近日，長鑫存儲官方網站已經公開列出自家符合國際通行標準規範的DDR4內存晶片、DDR4內存條、LPDDR4X內存晶片的詳細信息。並且，長鑫存儲表示已開始接受上述產品的技術和銷售諮詢。相信很快我們就能在市面上看到相應的產品。
長鑫存儲提供單顆容量8Gb(1GB) DDR4內存晶片，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃，擁有78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。
長鑫存儲的DDR4內存條也是自主開發設計的，搭載自己的DDR4內存顆粒，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM筆記本型，容量均為單條8GB，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃。
此外，長鑫存儲的LPDDR4X內存晶片則號稱可匹配主流需求，兼備高速度與低功耗，可提供超高續航能力、超低功耗設計、穩定流暢體驗，規格方面單顆容量2GB、4GB，頻率3733MHz，電壓1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度-30℃至85℃，200ball FBGA封裝。
根據此前消息，長鑫存儲的DRAM項目總投資超過72億美元（495億人民幣），項目建設三期工程，一期建設的是12英寸晶圓廠，建成後月產能為12.5萬片晶圓。而此次推出的DRAM晶片都採用國產10G1工藝技術(即19nm)製造，預計到2020年底月產能可達4萬片晶圓。此外，長鑫存儲還制定了至少兩個10納米級製造工藝的路線圖，並計劃在未來生產所有類型的DRAM。而隨著二三期工程的完成，長鑫存儲的產能將大幅提升。
在技術來源方面，資料顯示，長鑫存儲通過與奇夢達的合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。在2019年12月5日，長鑫存儲宣布與Polaris達成合作，獲得了大量DRAM技術專利的實施許可，這些專利來自Polaris 2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。
編輯：芯智訊-林子