4月13日，長江存儲宣布推出128層堆疊的3D QLC快閃記憶體（代號X2-6070），創造了多個世界第一：第一款128層堆疊的3D QLC快閃記憶體、第一快的快閃記憶體接口1600MT/s。追平世界記錄：單顆NAND晶片容量1.33Tb。
在見過太多的國產吹之後，讓我們梳理一下信息，來看看長江存儲宣布的這些信息含金量如何。對比世界五大快閃記憶體原廠（美光和英特爾已經分家），當前已經實現的堆疊層數記錄最高者是英特爾的144層堆疊3D QLC，不過128層堆疊的3D QLC的確是由長江存儲首發的：SK Hynix的128層V6雖然宣布較早，但只有3D TLC類型，QLC則屬於96層堆疊的V5。
作為快閃記憶體製造商中的後來者，長江存儲如何做到在短短几年內追趕上眾多國際大廠？我們不必懷疑它的原創性，今年3月底半導體產業研究公司Tech Insights已經分析過長江存儲的64層堆疊快閃記憶體，並沒有抄襲其他原廠，並且印證了長江存儲獨特的Xtacking架構。
Xtacking技術允許在單獨的晶圓上製造NAND外圍電路和存儲單元，然後通過晶圓對晶圓鍵合將其整合為一體。除了提升存儲密度之外，Xtacking的另一個優勢也在128層堆疊3D快閃記憶體中得到了體現，由於CMOS電路可以選用更先進的製程，外圍電路可以為快閃記憶體晶片實現更高的快閃記憶體接口速度。
長江存儲為何能夠跳過96層堆疊，直接實現業界領先水平的128層堆疊？這一點同樣不用懷疑。長江存儲的128層堆疊快閃記憶體很可能是2個64層串堆疊而成，美光的64層堆疊也是用2個32層串堆疊而來，通過這一方式可以快速實現堆疊層數的提升。當然從製造成本控制來說，不使用string stack的三星1xx層V6快閃記憶體會更先進一些。
對於國產快閃記憶體，我們不必妄自菲薄，也不能盲目自大。直接從3D快閃記憶體起步，跳級追上世界一流水平，長江存儲已經實現了彎道超車，並擁有了自己的創新技術。我們應該能夠在1年內用上完全國產快閃記憶體的固態硬碟。