隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND快閃記憶體技術的出現也逐漸受到人們重視，作為一種非易失性存儲技術（即斷電後仍能保存數據）。其內部採用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。

又一座3D NAND快閃記憶體工廠即將開建

3月23日，全球第二大快閃記憶體製造商鎧俠（Kioxia）宣布，將對位於日本岩手縣北上市的工廠進行擴建，興建新的Fab2工廠，以提高3D NAND快閃記憶體的產量。該設施計劃2022年4月開始動工，預計2023年竣工。

據官網介紹，鎧俠新的Fab2工廠將建在現有Fab1工廠的東側，採用最先進的節能環保製造設備，並使用可再生能源，同時還會加強對建築物的抗震結構設計。鎧俠還將利用基於人工智慧的尖端製造技術，以提升整個北上市工廠的產品質量，從而滿足雲服務、5G、物聯網、人工智慧、自動駕駛和元宇宙等不同領域對快閃記憶體的需求增長。

鎧俠表示，將從其運營現金流中，為Fab2工廠的建設提供資本。此前據媒體報導稱，鎧俠計劃斥資約2萬億日元（約165億美元）建設一個新的製造工廠，以滿足對快閃記憶體晶片不斷增長的需求。

此外，新聞稿指出，鎧俠計劃繼續與美國西部數據公司洽談，共同投資K2大樓。

今年1月下旬，鎧俠與西數合資的NAND Flash產線部分物料受到污染。鎧俠於3月初宣布，受影響的工廠已在2月底恢復正常運營。鎧俠預計3D NAND快閃記憶體的出貨量會受到影響，隨著生產全面恢復，會盡一切辦法減少對客戶的影響。

同時，西部數據也發布聲明稱，由於生產過程中使用的某些物料受到污染，公司與鎧俠在日本的合資工廠的生產運營受到影響。西部數據快閃記憶體可用性將減少約7EB，這將主要發生在其第三和第四財季。

3月16日，日本福島外海發生強震，TrendForce集邦諮詢表示，鎧俠K1 Fab震度達5級，地震發生當時造成線上wafer部分受損，而先前K1 Fab在污染事件發生後，第一季產能已下修，約占Kioxia今年產能8%。從震度區域來看，鎧俠位於北上市的K1 Fab本季投產將可能進一步下修。

國內市場巨大

NAND晶片（即NAND快閃記憶體）廣泛應用在手機、電腦、伺服器等電子產品中，中國作為全球最大的電子產品製造中心，擁有著全球最大的NAND晶片消費市場，市場規模占全球37%。

信息化時代數據大爆炸，對存儲器的需求持續增長，全球各類晶片產品中，存儲晶片規模最大，占比35%，邏輯晶片位居其次。存儲晶片中，DRAM占全球晶片市場的20%，NAND占全球晶片市場的14%，2020年全球NAND市場規模567億美元，市場空間巨大。

行業市場格局方面，NAND份額被三星、東芝、西部數據、海力士、Intel、美光6家廠商瓜分，市占率合計超過95%。中國是全球第二大NAND市場，占比超過31%，但大陸自製率幾乎為0%。

相關業內人士認為，「大市場」+「低自給率」，大陸NAND國產化勢在必行。

截至2020年末長江存儲取得全球接近1%市場份額，成為六大國際原廠以外市場份額最大的NAND晶圓原廠，據民生證券測算，隨著長存規模起量，2025年全球市占率將有望達到約6%。

國產化之路進展如何

當前主要是國際原廠引領3D NAND 技術發展，並形成了較為厚實的技術壁壘。此外，行業市場格局也高度集中，份額幾乎都被頭部存儲廠商所占據。中國是全球第二大NAND市場，占比超過31%，但大陸自製率幾乎為0%。因此，發展國產的存儲產業勢在必行。

作為快閃記憶體行業的新人，長江存儲僅用了3年的時間就實現了從32層到64層，再直攻128層的技術跨越，其正以最大的努力、最快的速度追趕國際一線存儲晶片大廠。

除了長江存儲之外，還有兆易創新、東芯半導體、北京君正等國內存儲企業在NAND產品上有所布局。

其中，兆易創新也在不斷推動NAND產品進程，據介紹該公司目前SLC NAND成熟工藝節點為38nm，24nm工藝節點已經實現量產，目前正在向19nm工藝節點推進，產品覆蓋從1Gb至8Gb主流容量，電壓涵蓋1.8V和3.3V，提供傳統並行接口和新型SPI接口兩個產品系列。

此外，東芯半導體聚焦於中小容量存儲晶片，可以同時提供NAND、NOR、DRAM等產品，據悉，該公司設計並量產的24nm NAND、48nm NOR均為國內目前已量產的最先進的NAND、NOR工藝製程。