光刻機被譽為現代科技領域金字塔塔尖領域的明珠，是類似於近代原子彈的研發難度的科技工程，全球僅有ASML具備高精度EUV光刻機的研發工藝。而如今為頻頻爆出好消息，公布新專利，有望打破光刻機的技術壁壘，消除國外晶片封鎖！

那麼問題來了，華為在被限制的三年內，如何實現的技術突破，這一技術將如何影響全球半導體市場格局？未來的晶片市場將朝著何種方向進行發展？

一、華為實現高難度光刻機技術突破

光刻機為什麼是晶片領域科技金字塔的塔尖？那是因為光刻機的研發工藝幾乎占據了現代科技領域的眾多精尖技術，沒有完整的科技產業鏈更不能無法生產。光是生產光刻機就需要克服三個技術難點，分別是雙工作檯、極紫外光光源和成千上萬的專屬定製零部件。

一台光刻機的重量達到180噸，單獨調試時間就要一年之久，可見光刻機製作難度之大。我國光刻機研發之路起步可以追溯到上世紀的60年代，彼時的課題還叫作集成電路課題研究，但是後來的研發企業紛紛受到外國企業低價傾銷的影響，逐漸變得「造不如買」，追求眼前效益，導致我國半導體產業的衰敗。

而華為無疑是時代的逆行者，不論是此前投資千億元繼續麒麟晶片的研發，還是推出比肩安卓、IOS的第三大作業系統鴻蒙，都體現出該企業的創新精神，以及認識到本國科技要獨立自主的本質。雖然自2019年開始受到限制，但是仍舊創新不斷，並實現了《反射鏡、光刻裝置及其控制辦法》的專利突破。

二、中國半導體產業的崛起

華為的此項專利可謂是對於我國的半導體研發，有著重要的意義，令我國光刻機的自研可以變得事半功倍。用極紫外光光線進行光刻是光刻機的技術核心，但是雙工作檯運行條件下，很容易造成反射不均勻的問題，也就是所謂的「陰陽臉」。

而華為的專利技術，則可以針對這個問題進行完美的解決。通過提供一組反射鏡，對極紫外光的光線進行優化，解決了圖像不均勻的難題。除了華為之外，我國還有諸多半導體企業都實現了技術突破，為我國的半導體行業發展添柴加火。

以中芯國際為首，實現了14nm晶片製程工藝的量產，實現了我國從28nm製程工藝向14nm跨越，而通富微電更是採用集成的方式，完美繞過EUV光刻機，實現了5nm製程工藝晶片的研發。像是上海微電子更是將光刻機拆分為幾個大板塊，採用逐個擊破的方式進行研究，進展神速。

甚至ASML都感嘆，如果再給中國大陸5年的時間進行研發，那麼到時候光刻機的所有技術要點都將不再是秘密。而在美國與ASML逐漸鬧僵的局面下，我國半導體產業將迎來怎樣的機會？世界半導體產業格局將朝著何種方向發展？

隨著中國逐漸實現了中低端晶片的量產，美國的政策開始進一步收緊，這導致ASML的經營狀況出現了問題，進而公開與美國攤牌，並不會縮減光刻機的研發生產，甚至可能加大與中國大陸市場的合作。

因為中國大陸仍舊是全球對於光刻機需求最強烈的地區，是第一晶片市場，並且本身的工業鏈比較完善，能夠滿足ASML上萬零件的生產可能。因此隨著ASML與美國攤牌，中國可能在未來與ASML重新恢復合作，拿到ASML先進的EUV光刻機，從而不再接受限制。

而美國本土並不具備高精尖光刻機以及高精尖晶片的研發工藝，因此未來美國甚至可能品嘗到晶片限制的滋味。但是ASML技藝更加成熟，光刻機售賣進大陸可能會打擊中國企業進行光刻機研發的熱情，進而影響中國半導體產業的獨立自主。因此我們必須時刻牢記，科技創新獨立自主才是最有效的途徑。

華為接連實現光刻機技術突破，美國與ASML關係日益緊張，未來的我國可能解除晶片限制，實現半導體領域的獨立自主。但是也要謹防ASML低價傾銷打擊本土企業效益，牢記只有自身掌握核心技術，才能做到不受制於人。

對於華為實現光刻機領域的技術突破，大家有什麼想說的？大家覺得未來的中國半導體產業將會朝著哪個方向發展？歡迎在評論區進行留言討論。