運動控制具有明顯的時期特性，它是多種高新技術的綜合，用來將工業自動化、辦公自動化和家庭自動化推向更高階段。目前的運動控制主要由變頻器（Variable-frequency Drive，VFD）、電動機、控制器三部分組成。
1．VFD局部
VFD的中心是電力電子器件及控制方式。
1）電力電子器件電力電子器件就是在電路中起通斷作用並完成各種變流的器件，VFD就是這種變流的安裝，因而它是隨著逆變器件的開展而開展，逆變器件的好壞就要看它的通斷才能，接受通斷的電流和額定電壓；在通斷過程中損耗的大小如飽和壓降和開關損耗就決定了VFD的效率和體積大小；開關損耗與開關頻率有關；開關頻率與噪聲有關，而且與輸出電壓、電流波形有關。就是說電力電子器件要朝著電壓高、電流大、開關頻率高、導通壓降小的方向開展。晶閘管是半控器件，屬於第一代產品，但調製頻率低、控制複雜、效率低、容量大、電壓高、歷史長久，不論是用作整流還是用作逆變，都是比較成熟的。
全控器件GTO晶閘管和BJT，不論是組裝直流斬波器還是組裝VFD，GTO晶閘管在電力機車上的應用具有壟斷性。這也是我國「八五」期間組織攻關的嚴重科研課題。但是將GTO晶閘管VFD用於其他中央，爭議較大，緣由是GTO晶閘管的關斷電流增益太小，過電流維護比較艱難，調製頻率低。用BJT組裝的直流斬波器和PWMVFD非常盛行，但輸出電壓不超越460V，容量不超越400kW。BJT是電流驅動，功耗大，調製頻率也不高，噪聲還大，不如MOSFET的電壓驅動簡單、牢靠。但後者容量更小，輸出電壓也更低，在市場上有競爭力的產品並不多。
在運動控制中，新一代的電力電子器件是IGBT和MCT：前者是MOS驅動BJT，優點是容量和電壓都超越了BJT，有取而代之的趨向；後者MOS驅動晶閘管，理論上具有兩者的優點。這兩種新型器件都有成熟的產品，IGBT已開展到第四代，而且目前國外正在將微電子的消費工藝向電力電子轉移，於是產生了專用集成電路（SPIC）。把IGBT的驅動電路和維護電路複合在一同的智能器件叫IPM，還有把開關電源複合在一同的IPM，這樣使VFD愈加牢靠，曾經成為調速的主導產品，將取代直流調速，21世紀將是交流調速時期。
2）控制方法VFD採用不同的控制方法，具有不同的速度調節性能、特性和用途。控制方法大致分為開環和閉環控制。開環控制包括U/f(電壓和頻率)成正比控制方法；閉環包括轉差頻率控制和各種矢量控制。從發展歷史來看，也是從開環到閉環。通常的矢量控制可以與DC電機的電樞電流控制相媲美。現在交流電機參數可以直接停止直接扭矩控制，方便準確，控制精度高。
本文轉載自杭州三科變頻技術有限公司官網