MOSFET應用領域廣泛 我國高端市場國產替代空間大

　　MOSFET即金屬氧化物半導體場效應管，是一種利用改變電壓來控制電流的場效應電晶體，廣泛應用在模擬電路、數字電路中，用於實現開關和信號放大等功能。MOSFET具有開關速度快、易於驅動、導通內阻小、熱穩定性好、工作頻率高等特點，目前已在新能源汽車、工業照明、工業控制、智慧機器人、消費電子、光伏逆變器、5G基站等領域得到廣泛應用。

　　MOSFET是一種重要的功率分立器件，在產品類型上，MOSFET可進一步細分為平面型MOSFET、溝槽型MOSFET、超級結MOSFET、屏蔽柵MOSFET等產品。各MOSFET產品在功率、頻率等方面具有不同特性，應用場景也有所差異，如平面型MOSFET多應用在中低壓場景中，超級結MOSFET可應用在高壓（600V-900V）領域。

　　根據新思界產業研究中心發布的《2023-2027年中國MOSFET行業應用市場需求及開拓機會研究報告》顯示，近年來，全球市場保持穩定擴張趨勢，2021年，全球MOSFET市場規模約為115.2億美元，預計2023-2027年，全球MOSFET市場將以6.5%以上的年均複合增長率增長。

　　我國是全球MOSFET主要市場之一，2021年，我國約占全球市場規模的40.5%。MOSFET應用領域廣泛，我國是汽車、電子生產和消費大國，MOSFET市場需求旺盛，市場增速高於全球平均水平。

　　MOSFET市場集中度較高，且市場競爭格局相對穩定。目前全球領先的MOSFET供應商有英飛凌、安森美、瑞薩、東芝、意法半導體等，國外企業憑藉技術、人才、研發及經驗優勢占據全球市場主要份額。近年來，我國也湧現出一批優秀MOSFET企業，並與國際企業展開競爭，如華潤微、士蘭微、華微電子、東微半導、揚傑科技、蘇州固鎝等。

　　目前國產MOSFET在性能、種類等方面與國際產品之間仍存在差距，但差距正不斷縮小。在國產化率方面，超高壓MOSFET技術難度大，其國產化率低於中低壓MOSFET，具體來看，2021年，超高壓平面MOSFET國產化率不足18.5%，高壓平面MOSFET國產化率不足30.0%，中低壓平面MOSFET國產率已達到42.5%左右。

　　新思界行業分析人士表示，MOSFET是重要的功率分立器件之一，具有穩定性好、易於驅動、導通內阻小等特點，在汽車、電子、通訊及工業控制等領域應用廣泛。我國是MOSFET消費大國，MOSFET市場增速高於全球平均水平，但由於起步晚、企業競爭優勢不足，目前我國MOSFET國產化率仍較低，尤其是超高壓MOSFET，未來我國MOSFET行業仍需向高端化發展，以實現高端MOSFET產品全面國產替代。