近日中科鑫通稱，國內首條「多材料、跨尺寸」的光子晶片生產線已在籌備，預計將於2023年在京建成，可滿足通信、數據中心、雷射雷達、微波光子、醫療檢測等領域需求，有望填補我國在光子晶片晶圓代工領域的空白。

中科院獲得3nm晶片技術突破

在大多數人看來，中國最大的弱點就是半導體產業，其實這句話有些「模糊」，更確切地說，半導體產業是我們最大的弱點，不過我們正在努力解決這一問題。

然而事實上，這還只是一種暫時的策略，根據最新的報導，中國科學院在3nm製程工藝上取得了重大進展，預計2023年就能實現批量生產。

很多人都在想，為什麼10nm的製程都沒有成功，而現在，我們已經可以批量生產3nm的製程了？能否替代台積電的3納米製程？

關於這兩個問題，下面就為各位做一個說明，第一，我國當前針對於矽基晶片的批量生產技術還停留在10nm，而14nm以上製程的晶片還沒有實現批量生產。而22nm製程的光刻機，則被他們研製出來，並開始批量生產。

中國只掌握了10納米以上Si晶圓製造技術，以及22納米光刻機的自主研發技術，憑什麼能批量生產3納米晶圓製造技術？事實上，在很多人看來，3nm工藝的成功，並不是說3nm工藝的成功，而是說3nm工藝的成功。

光子晶片能否幫助中國逆襲

光電子器件是光子晶片的核心組成部分，和矽基電子器件存在著很大的差別，在傳輸速度上較於電子晶片要快1000倍，且在功耗的控制上也更佳，光子晶片採用的磷化銦、砷化鎵等二代半導體材料，自然是要比電子晶片的軌跡材料要強。

而最關鍵的地方在於製備程序，雖然二者有著一定的相似度，但光子晶片的側重點在於外延伸與製備環節上，而並非是在光刻環節，意味著不需要依賴高端的光刻機，這也是國內加大布局的原因。

在光子晶片產業體系成型之後，國內企業可以直接走IDM模式，不再需要依賴國際的供應鏈，有別於集成電路的標準化與分工明細化，中間可以省略很多複雜的環節。

而光子晶片的結構對工藝需求較低，一般是百納米級別就夠了，國產的90nm光刻機足夠使用了，中科鑫通也表示：「光子晶片就算採用國產的設備和工藝，也能夠實現成熟的量產！」

根據專業機構的預測，未來五年光子晶片規模將突破千億美元，這也將給我們帶來更多的機會，就目前而言擺脫對於EUV光刻機的依賴，我們才能在晶片領域贏得優勢，才能實現最終的換道超車。

彎道超車，讓光子晶片被寄予厚望

這幾天，北京日報發布了一則新聞：國內首條「多材料、跨尺寸」的光子晶片生產線已在籌備當中，預計將於2023年在北京建成。

從概念上來說，光子晶片主要有兩種：光量子晶片和矽光晶片。不過，由於理論、技術等方面的原因，前者目前還停留在紙面上，國內正在籌備的這條光子晶片生產線，從介紹來看也屬於矽光晶片的生產線。

與純光子晶片不同，矽光晶片採用的是光電混合結構設計，在計算時，所有的指令、編譯、軟體都會先加載到電子晶片上進行處理，之後通過光信號進行計算，最後輸出的依然還是電信號。 圖片

而在另一個方面，早在2016年，英特爾就已經成功推出了矽光子光學收發器。在之後的幾年裡，英特爾的相關產品不斷推陳出新，並已在研發更加先進的光電共封技術。

除此之外，Ayar Labs、思科等廠商，也已在矽光晶片領域有所成績。