6月21日，國內半導體前道製程量測設備公司優睿譜宣布，公司的碳化矽自動光學位錯微管檢測設備SICD系列交付客戶。
作為重要的寬禁帶半導體材料，碳化矽具有高臨界擊穿場強、高熱導率、高電子飽和漂移速率等優點，用其製造的高溫大功率器件，具有優越的機械特性和物理、化學穩定性等特點。
在碳化矽襯底上生長同質外延時，襯底中的位錯缺陷會向外延層延伸和轉化，導致外延層中出現大量擴展型缺陷。對不同類型的位錯和微管缺陷密度和分布進行檢測，是碳化矽襯底製造中非常重要的步驟和環節。
目前，碳化矽襯底片位錯缺陷檢測通常在腐蝕後進行位錯檢測，目前市場上的位錯微管檢測設備檢測速度極慢，檢測整片晶圓往往需要數小時，在實際生產中，往往是選擇性地測量晶圓部分區域的位錯缺陷密度，而非對整個晶圓進行檢測，無法實現晶圓的整體位錯分布的檢測，也無法與碳化矽襯底片自動化生產系統相匹配。
SICD200檢測碳化矽襯底晶圓位錯缺陷
優睿譜的SICD系列設備具有四大顯著優勢：一是實現了對整片襯底的全面積掃描和檢測。二是檢測成像具備高解析度，大幅提升檢測準確度。三是在實現整片檢測和高解析度下，檢測效率提升了數十倍，10分鐘即可完成整片檢測，並自動輸出檢測報告。四是SICD系列設備將腐蝕片位錯缺陷檢測和襯底片高解析度微管缺陷檢測集成在同一款設備上，這使得客戶可以更有效地在生產線上使用設備。
SICD200檢測碳化矽襯底晶圓微管缺陷
「優睿譜的SICD系列設備使用高解析度實時對焦高速掃描成像技術，並採用深度學習算法(AI)，有效提高缺陷檢測的準確度和速度，有助於改善碳化矽製造工藝和生產質量控制。」 優睿譜總經理唐德明博士表示。
SICD系列設備分為手動上下片的半自動檢測設備SICD200s、自動上下片的全自動檢測設備SICD200，後者可對接碳化矽襯底片廠的MES系統，實現工廠自動化生產。
優睿譜碳化矽自動光學位錯微管檢測設備SICD
此前，優睿譜已推出FTIR設備Eos200Lite用於碳化矽外延片外延層厚度及均勻性測量，已實現批量出貨且獲得多家頭部客戶訂單。優睿譜SICT200設備已交付客戶，用於碳化矽襯底晶圓平整度測量，如晶圓厚度/翹曲/BOW等參數的測量。
優睿譜成立於2021年，由長期從事於半導體行業的海歸博士領銜，協同國內資深的半導體前道製程量測設備技術團隊共同發起成立，致力於打造高品質的半導體前道量測設備。
優睿譜秉持「實事求是、務實高效」的精神，致力於打造高品質的半導體前道量測設備，在深厚的技術積累基礎上實現技術創新，助力中國半導體前道量測設備自主可控。
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