光刻機不突破,我們設計出1nm晶片,有100%自研架構,也沒用

互聯網亂侃秀 發佈 2024-04-10T16:04:42.924028+00:00

很多人表示,龍芯的指令集是自研的LoongArch,所以不怕打壓,同時龍芯最新的晶片,是中芯代工的,所以也不怕。

眾所周知,怕龍芯崛起,打破美國的CPU霸權,搶了intel、AMD的飯碗,美國又出手,將龍芯也接入了「實體清單」,限制美國技術、設備為龍芯提供服務。

很多人表示,龍芯的指令集是自研的LoongArch,所以不怕打壓,同時龍芯最新的晶片,是中芯代工的,所以也不怕。

但其實龍芯也一樣怕打壓,一是EDA,龍芯設計也大量使用了美國的EDA軟體,一旦受限,也是挺麻煩的,要切換成國產的EDA或者沒有美國技術的EDA,並不容易。

二是製造,畢竟龍芯只是Fabless企業,只設計,不製造的,製造要找代工廠。而中芯的14nm工藝,也是大量使用了美國的設備、技術,沒有許可證,也是不能幫龍芯製造晶片的。可能很多人不服,表示設備買回來,就不歸美國管了,那你就太天真了,華為麒麟晶片的例子就在眼前,不用槓。

可以說,所謂的制裁,最終還是又回到了晶片製造這一塊,而真正卡住國內晶片製造的是什麼?又是光刻機,可以說,光刻機才是一切制裁的核心。

如果我們的光刻機不突破,就算我們能夠設計出1nm的晶片,甚至設計出0.1nm的晶片,也沒有用,至於100%自研的指令集研究出再多,也沒有用,一樣會被卡住的。

因為最終所有晶片,都需要製造,而製造就需要光刻機,7nm及以下的晶片,就需要EUV光刻機,這是繞不開的。

目前國產光刻機的水平如何?上海微電子當前的光刻機精度是90nm,雖然很多不負責任的媒體表示,多次曝光後,可以達到22nm,但這只是猜測,事實上乾式光刻機的精小精度只能達到45nm,只有進入浸潤式光刻機,才能達到45nm以下,最終實現最小7nm工芯。

所以我們的晶片,只要是涉及45nm工藝以下的晶片,都必須依賴ASML或日本的光刻機,而ASML、日本都聽美國的,這也是美國能夠卡住我脖子的原因。

可見,如果我們的光刻機不突破,哪怕自研出更多的指令集,設計水平再高,哪怕達到1nm,0.1nm,一樣會被卡住脖子的。

國產光刻機加油吧,只要光刻機突破了,那麼美國的制裁就將毫無意義,因為我們沒有脖子讓美國卡了,否則其它方面再突破,也一樣是空中樓閣,還是被卡。

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