與非網 5 月 7 日訊，據外媒報導，台積電公布了 2019 年年報，並在年報中首度提及2nm技術。
在 2018 年年報中，台積電的表述為，公司 3nm 技術已進入全面開發階段，而 3nm 以下的技術已開始定義並密集進行先期開發。
在 2019 年年報中，台積電錶示，當台積電公司採用三維電晶體之第六代技術平台的 3nm 技術持續全面開發時，公司已開始開發領先半導體業界的 2nm 技術，同時針對 2nm 以下的技術進行探索性研究。
關於 3nm 製程技術，台積電錶示，相較於 5nm 製程技術，3nm 製程技術大幅提升晶片密度及降低功耗並維持相同的晶片效能。2019 年，台積電的研發著重於基礎製程制定、良率提升、電晶體及導線效能改善以及可靠性評估。台積電錶示，今年將持續進行 3nm 製程技術的全面開發。
台積電未詳細介紹 2nm 製程技術。關於微影技術，台積電錶示，去年，微影技術研發的重點在於 5nm 的技術轉移、3nm 技術的開發及 2 nm 以下技術開發的先期準備。5nm 技術已經順利地移轉，研發單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產問題。
針對 3nm 技術的開發，極紫外光(EUV)微影技術展現優異的光學能力，與符合預期的晶片良率。研發單位正致力於極紫外光技術，以減少曝光機光罩缺陷及製程堆疊誤差，並降低整體成本。
今年，台積電將在 2nm 及更先進位程上將著重於改善極紫外光技術的品質與成本。台積電錶示，去年極紫外光專案在光源功率及穩定度上，有持續性進展，光源功率穩定與改善，得以加快先進技術學習速度與製程開發。
此外，極紫外光光阻製程、光罩保護膜及相關光罩基板，也都展現顯著進步，極紫外光技術正逐步邁向全面生產製造就緒。