3月7日消息，據外媒報導，英特爾相關人士透露，目前英特爾的埃米級工藝節點Intel 20A和Intel 18A已成功流片，也就是有相關設計定案，即規格、材料、性能目標等均已基本達成。此外，英特爾的代工服務（IFS）目前已經有43家潛在合作夥伴正測試晶片，其中至少7家來自全球TOP10的晶片客戶。
2021年，英特爾CEO帕特·基辛格公布了IDM 2.0戰略之後，英特爾開始全力推進先進位程技術和代工業務的發展。按照英特爾的路線圖，提出了4年量產5個製程節點的計劃，致力於在2025年重新取得製程技術的領先地位。目前Intel 7已實現大規模量產，並用於客戶端和伺服器端；Intel 4已經準備就緒，為投產做好準備，預計2023年下半年基於Intel 4的Meteor Lake將量產；Intel 3正按計劃推進中；和Intel 18A將於2024年上半年量產，Intel 20A將於2024年下半年量產，預計相關產品將會在2025年推出，屆時英特爾將重新取得製程技術的領先地位。
Intel 20A的領先主要得益於英特爾全新的RibbonFET電晶體結構（類似GAA，該技術加快了電晶體開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小）和Power VIA電源傳輸系統（業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸）等技術，以及率先使用High-NA EUV光刻機。
在封裝技術上，英特爾的2.5D封裝技術EMIB已應用於量產產品，同時不斷推動3D封裝技術，以進一步增加單個設備的電晶體數量。從英特爾公布的封裝技術路線圖來看，目前EMIB封裝技術的裸片間距可以做到55μm，而3D Foveros封裝技術的裸片間距可以做到50μm，而在未來，英特爾希望將EMIB封裝技術的裸片間距縮小到30μm-45μm，3D Foveros封裝技術的裸片間距進一步降低到20μm-35μm（有焊料）或小於20μm（無焊料）。
代工業務方面，據悉目前全球需要晶圓代工的十家最大客戶中，有7家正與英特爾積極探索合作。比如，在2022年7月，英特爾和聯發科宣布建立戰略合作夥伴關係，未來聯發科將利用英特爾代工服務 (IFS) 的16nm製程（Intel 16）工藝製造晶片。需要指出的是，英特爾未來最先進的Intel 3以及Intel 20A/18A也都將會對外開放。
編輯：芯智訊-林子