氮化鎵、GaN指氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導體材料的代表之一，具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高、直接帶隙、擊穿電場高等性質。
氮化鎵器件主要包括射頻器件和電力電子器件，射頻器件產品包括功率放大器和開關器等，主要面向基站衛星、軍用雷達等市場；電力電子器件產品包括場效應電晶體等產品，主要應用於無線充電、電源開關和逆變器等市場。
GaN器件分類
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GaN功率器件包括SBD、常關型FET、級聯FET等產品，主要應用於無線充電件、電源開關、逆變器、交流器等領域。隨著技術水平的進步與成本控制，GaN材料將在中低功率取代矽基功率器件，在300V~600V電壓間發揮優勢作用。GaN器件的體積將顯著降低：由於導通電阻小、可在高溫環境下共奏以及效應速度快，器件體積將顯著降低。
氮化鎵功率器件在部分場景的效率改善情況
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中國GaN功率半導體市場較小，但增長迅速。2015年中國GaN功率半導體市場規模0.11億元，2021年市場規模達到1.88億元。
2015-2022年中國GaN功率半導體市場規模走勢圖
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GaN材料禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿電場高、飽和電子遷移速率高，在應用上可以做到高擊穿電壓、耐高溫、低導通損耗、高輸出功率以及低成本，在電力電子、微波通信、光伏逆變、照明等應用領域具有另外2代材料無法比擬的優勢，具有重大的戰略意義，相信在不久的將來GaN作為第3代半導體材料中優秀代表會得到更廣泛的應用。
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